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VDS (V) 25 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 30 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 65 Package (mm) QFN 5 x 6 proprietary footprint Operating temperature range (C) -55 to 150
VDS (V) 25 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 30 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 65 Package (mm) QFN 5 x 6 proprietary footprint Operating temperature range (C) -55 to 150
  • 具有 65A 持续工作电流能力
  • 30A 电流下系统效率超过 93.5%
  • 工作频率高(高达 1.25MHz)
  • 支持 FCCM 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感应
  • 模拟温度输出
  • 故障监控 - OTP、HS OCP 和短路保护
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • DualCool™封装
  • 符合 RoHS 标准、无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 具有 65A 持续工作电流能力
  • 30A 电流下系统效率超过 93.5%
  • 工作频率高(高达 1.25MHz)
  • 支持 FCCM 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感应
  • 模拟温度输出
  • 故障监控 - OTP、HS OCP 和短路保护
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • DualCool™封装
  • 符合 RoHS 标准、无铅端子镀层
  • 无卤素

CSD96497 NexFET™power stage是经过高度优化的设计,用于高功率、高功率密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合可在 5mm x 6mm 小型封装中实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,可以简化系统设计以及提高精度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并轻松完成总体系统设计。

CSD96497 NexFET™power stage是经过高度优化的设计,用于高功率、高功率密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合可在 5mm x 6mm 小型封装中实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,可以简化系统设计以及提高精度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并轻松完成总体系统设计。

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* 数据表 CSD96497Q5MC 同步降压 NexFET™ 智能功率级 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 24 Jul 2019
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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