返回页首

产品详细信息

参数

VDS (V) 25 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 30 Configuration PowerStage ID, continuous drain current at Ta=25degC (A) 65 Package (mm) SON5x6 DualCool PowerStage Operating temperature range (C) -55 to 150 open-in-new 查找其它 功率级

特性

  • 具有 65A 持续工作电流能力
  • 30A 电流下系统效率超过 93.5%
  • 工作频率高(高达 1.25MHz)
  • 支持 FCCM 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感应
  • 模拟温度输出
  • 故障监控 - OTP、HS OCP 和短路保护
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • DualCool™封装
  • 符合 RoHS 标准、无铅端子镀层
  • 无卤素

All trademarks are the property of their respective owners.

open-in-new 查找其它 功率级

描述

CSD96497 NexFET™power stage是经过高度优化的设计,用于高功率、高功率密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合可在 5mm x 6mm 小型封装中实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,可以简化系统设计以及提高精度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并轻松完成总体系统设计。

open-in-new 查找其它 功率级
下载

技术文档

= TI 精选相关文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。 查看所有 4
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 CSD96497Q5MC 同步降压 NexFET™ 智能功率级 数据表 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2019年 7月 24日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技术文章 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技术文章 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
(DMC) 12 了解详情

订购与质量

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持