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采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

CSD95485RWJ 不推荐用于新设计
该产品会持续为现有客户提供。新设计应考虑替代产品。
open-in-new 比较替代产品
功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
CSD95410RRB 正在供货 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级 Improved device current rating and efficiency

产品详情

Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -55 to 150
Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -55 to 150
VQFN-CLIP (RWJ) 41 30 mm² 6 x 5
  • 具有 75A 持续工作电流能力
  • 30A 电流下系统效率超过 95%
  • 工作频率高(高达 1.25MHz)
  • 二极管仿真功能
  • 温度补偿双向电流感应
  • 模拟温度输出
  • 故障监控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • 耐热增强型顶部散热
  • 符合 RoHS 标准 – 无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 具有 75A 持续工作电流能力
  • 30A 电流下系统效率超过 95%
  • 工作频率高(高达 1.25MHz)
  • 二极管仿真功能
  • 温度补偿双向电流感应
  • 模拟温度输出
  • 故障监控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 用于击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • 耐热增强型顶部散热
  • 符合 RoHS 标准 – 无铅端子镀层
  • 无卤素

CSD95485RWJ NexFET™功率级是经过高度优化的设计,用于高功率、高功率密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合采用 5mm × 6mm 小型封装,可实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了准确电流检测和温度感测功能,以简化系统设计并提高准确度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD95485RWJ NexFET™功率级是经过高度优化的设计,用于高功率、高功率密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合采用 5mm × 6mm 小型封装,可实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了准确电流检测和温度感测功能,以简化系统设计并提高准确度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD95485RWJ 同步降压 NexFET智能功率级 数据表 英语版 PDF | HTML 2020年 3月 6日

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点