ZHCSCQ9A January   2014  – August 2014 CSD88537ND

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 SO-8 封装尺寸
    2. 7.2 建议的 PCB 模板布局和开口

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

2 应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

3 说明

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图
Pin_Out_F.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 60 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 14 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 2.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 15 mΩ
VGS = 10V 12.5 mΩ
VGS(th) 阀值电压 3.0 V


订购信息(1)

器件 介质 数量 封装 出货
CSD88537ND 13 英寸卷带 2500 SO-8 塑料
封装		 卷带封装
CSD88537NDT 7 英寸卷带 250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 60 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 15 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 16
持续漏极电流 (1) 8.0
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) 108 A
PD 功率耗散(1) 2.1 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 32，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 51 mJ
  1. RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
    。
  2. 最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07_SLPS455A.png

栅极电荷

graph04_frontpage_SLPS455A.png