CSD85302LT 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YME | 4 | -55 to 150 package image

CSD85302LT 正在供货

采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带

数据表

定价

数量 价格
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其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同，仅包装类型不同

CSD85302L 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
数量 | 价格 1ku | — — — +

质量信息

等级 Catalog
RoHS 是
REACH 是
引脚镀层/焊球材料 NIAU
MSL 等级/回流焊峰值温度 Level-1-260C-UNLIM
质量、可靠性
和封装信息

包含信息：

  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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更多制造信息

包含信息：

  • 制造厂地点
  • 封装厂地点
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出口管制分类

*仅供参考

  • 美国 ECCN：EAR99

更多 CSD85302L 信息

封装信息

封装 | 引脚 PicoStar (YME) | 4
工作温度范围 (°C) -55 to 150
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R

CSD85302L 的特性

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

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CSD85302L 的说明

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

定价

数量 价格
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其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同，仅包装类型不同

CSD85302L 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
数量 | 价格 1ku | — — — +

包装方式

您可以根据器件数量选择不同的包装方式，包括完整卷带、定制卷带、剪切带、管装或托盘。

定制卷带是从整盘卷带上剪下来的具有连续长度的剪切带，是一种可以对特定数量提供产品批次及生产日期跟踪的包装方式。根据行业标准，使用黄铜垫片在剪切带两端各连接一个 18 英寸的引带和尾带，以直接送入自动组装机。涉及定制卷带的 TI 订单将包含卷带费用。

剪切带是从整盘卷带上剪下来的特定长度的编带。根据所申请器件数量的不同，TI 可能会使用多条剪切带或多个盒子进行包装。

TI 通常会根据库存情况选择将管装或托盘器件以盒装或者管装或托盘形式发货。所有器件均会按照 TI 内部规定的静电放电和湿敏等级保护要求进行包装。

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可提供批次和生产日期代码选项

您可在购物车中添加器件数量以开始结算流程，并查看现有库存中可选择批次或生产日期代码的选项。

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