CSD85301Q2T

正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DLV | 6 | -55 to 150

正在供货 可提供定制卷带
等同于： CSD85301Q2T.B 该器件型号与上面所列的器件型号相同。您只能订购上述器件型号的对应数量。
  • 库存：
    限制： 此限制是为了保护样片库存以支持客户设计评估阶段使用，将会在库存充裕时取消此限制。
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数据表

定价

数量 价格
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其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同，仅包装类型不同

CSD85301Q2 正在供货 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
缺货
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数量 | 价格 1ku | — — — +
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质量信息

等级 Catalog
RoHS Yes
REACH Yes
引脚镀层/焊球材料 NiPdAu
MSL 等级/回流焊峰值温度 Level-1-260C-UNLIM
质量、可靠性
和封装信息

包含信息：

  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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更多制造信息

包含信息：

  • 制造厂地点
  • 封装厂地点
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出口管制分类

*仅供参考

  • 美国 ECCN：EAR99

更多 CSD85301Q2 信息

封装信息

封装 | 引脚 WSON (DLV) | 6
工作温度范围 (°C) -55 to 150
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R

CSD85301Q2 的特性

  • 低导通电阻
  • 两个独立的 MOSFET
  • 节省空间的 SON 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 具有雪崩能力
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

CSD85301Q2 的说明

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

  • 库存：
    限制： 此限制是为了保护样片库存以支持客户设计评估阶段使用，将会在库存充裕时取消此限制。
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定价

数量 价格
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其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同，仅包装类型不同

CSD85301Q2 正在供货 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
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数量 | 价格 1ku | — — — +
限制： 此限制是为了保护样片库存以支持客户设计评估阶段使用，将会在库存充裕时取消此限制。
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包装类型

您可以根据器件数量选择不同的包装方式，包括完整卷带、定制卷带、剪切带、管装或托盘。

定制卷带是从整盘卷带上剪下来的具有连续长度的剪切带，是一种可以对特定数量提供产品批次及生产日期跟踪的包装方式。根据行业标准，使用黄铜垫片在剪切带两端各连接一个 18 英寸的引带和尾带，以直接送入自动组装机。涉及定制卷带的 TI 订单将包含卷带费用。

剪切带是从整盘卷带上剪下来的特定长度的编带。根据所申请器件数量的不同，TI 可能会使用多条剪切带或多个盒子进行包装。

TI 通常会根据库存情况选择将管装或托盘器件以盒装或者管装或托盘形式发货。所有器件均会按照 TI 内部规定的静电放电和湿敏等级保护要求进行包装。

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可提供批次和生产日期代码选项

您可在购物车中添加器件数量以开始结算流程，并查看现有库存中可选择批次或生产日期代码的选项。

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