Gallium nitride (GaN) motor drivers
借助氮化镓 (GaN) 智能电源模块 (IPM) 和半桥电机驱动器，更大限度地提高电源效率并缩小解决方案尺寸
我们的集成式 GaN 技术可实现 99% 以上的逆变器效率，从而显著提高热性能并更大限度地减少功率损耗。先进的集成和更高的功率密度可缩减解决方案尺寸并降低系统级成本。超低的死区时间和传播延迟可提高声学性能、减少电流谐波并实现高精度的电流检测。更高的电源效率、零反向恢复、精确的压摆率控制以及短路和过流保护可提高系统可靠性并延长电机驱动的使用寿命。
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我们的 GaN 电机驱动器的优势
提高系统效率
我们的 GaN 电机驱动器集成了低导通电阻 GaN FET，与硅基技术相比，电源效率可提高多达 2%，并且功率损耗可降低 50% 或以上。
延长电机驱动的使用寿命
集成的压摆率控制和多级保护有助于进一步减少电机发热、更大限度提高电源效率并在电机使用寿命期间增强绝缘。提供极佳性能和耐用性。
实现安静平滑的电机运行
借助 TI GaN，可通过更高的开关频率、低传播延迟、更大程度降低电流谐波并缩短死区时间，实现更安静的运行和更平滑的扭矩。
将解决方案尺寸缩小 50%
与硅器件相比，通过 GaN 提供超高的功率密度并减少外部系统元件可缩小系统尺寸，从而实现更紧凑、更高效的设计。
特色技术
GaN IPM 简介
与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，使用氮化镓 (GaN) 构建的智能电源模块 (IPM) 可实现更高的功率密度和效率。
优势：
- 该功率级具有 >99% 的效率，无需散热器等冷却元件，从而可提高整体效率并缩减电机驱动器系统尺寸。
- <150ns 死区时间和传播延迟以及更高的脉宽调制开关频率，可减少电流失真，从而提高声学性能。
GaN 半桥简介
与传统的硅 MOSFET 相比，氮化镓 (GaN) 半桥功率级可提供出色的功率密度和更紧凑的封装尺寸。
优势：
- 借助 GaN 半桥功率级，可将 PCB 尺寸缩小 50% 以上。
- 在高开关频率 (100kHz) 下将功率损耗降低高达 50%。
- 支持使用陶瓷电容器，从而提高可靠性和性能。
参考设计
具有工业通信功能的 48V 1kw 机器人关节联合电机控制参考设计
在 70mm PCB 上安装 DRV7167 GaN 半桥和 TI Sitara™ AM261x MCU，用于类人机器人关节（48V、1kW）的工业以太网电机驱动参考设计。高功率密度、实时控制和系统测试正在进行中。
了解特色应用
技术资源
技术文章
通过基于 GaN 的电机系统设计提高家电能效并节省成本
我们将探索 GaN 与无刷直流 (BLDC) 电机系统的结合如何帮助提高消费者的生活水平。
视频
借助 DRV7308 GaN IPM 设计更高效的紧凑型电机系统
借助我们适用于 150W 至 250W 电机驱动应用的 DRV7308 GaN 智能电源模块 (IPM)，设计更小巧、更安静、更高效的电机驱动系统。
白皮书
三相集成 GaN 技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能
基于 GaN 的 IPM 不断发展，将持续助力提高电器和 HVAC 系统电机驱动器的功率密度、功率传输和效率，同时节省系统成本并提高可靠性。