ZHCT355 October   2021 TPS548B27 , TPS548B28

 

  1. 1 引言
  2. 2 设计注意事项
  3. 3 布局比较
  4. 4 热性能比较
  5. 5 效率比较
  6. 6 负载瞬态比较
  7. 7 开关节点振铃比较
  8. 8 结论
  9. 9 附加资源
  10. 10重要声明

1 引言

半导体封装技术在过去 20 年里取得了长足的进步，特别是在集成了功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的直流/直流转换器领域。Single-outline No-lead 和 Quad Flat No-lead (QFN) 封装已取代穿孔和引线式封装，能够以极小的外形处理高输出电流。新的封装技术有助于解决更小型的半导体封装通常会面临的设计和布局方面的挑战，并且新的 QFN 封装技术可用于直流/直流转换器，与传统的引线键合和倒装芯片 QFN 封装相比有所改进。遗憾的是，直流/直流转换器会产生并散发大量热量，而且会受封装和电路板寄生效应的影响，并且由于芯片不同，封装技术的比较通常并无定论。

在本文中，我们将采用两个负载点直流/直流转换器，并使用相同芯片提供最高达 20A 的电流，以便直接比较传统倒装芯片 HotRod™ 封装和新型倒装芯片增强型 HotRod™ QFN 封装，展示二者在热性能、开关节点振铃、瞬态、效率和布局方面的差异，进而帮助您确定增强型 HotRod QFN 封装是否更适用于您的应用，以及它是否有助于改善电源密度和性能以消除因采用新技术而产生的任何潜在质疑。