ZHCT355 October   2021 TPS548B27 , TPS548B28

 

  1. 1 引言
  2. 2 设计注意事项
  3. 3 布局比较
  4. 4 热性能比较
  5. 5 效率比较
  6. 6 负载瞬态比较
  7. 7 开关节点振铃比较
  8. 8 结论
  9. 9 附加资源
  10. 10重要声明

7 开关节点振铃比较

在观察电源高侧 MOSFET 的开关节点振铃时，可以看见寄生电感效应。仔细检查图 7-1 和图 7-2 后发现，增强型 HotRod QFN 封装设计的电压过冲比表 7-1 中显示的 HotRod 封装设计低 0.1V，这是显而易见的。很难确定电压振铃差异的来源，但可以放心地假设增强型 HotRod QFN 封装不会降低开关节点振铃性能。不过，有可能是增强型 HotRod QFN 封装的机械结构减小了 IC 的内部寄生电感，从而使得高侧 MOSFET 的开关节点振铃略有改进。

表 7-1 开关节点振铃条件和结果
封装 VIN VOUT FSW 振铃
增强型 HotRod QFN 封装 12V 1V 600kHz 0.7 V
HotRod 封装 0.8V
GUID-20210908-SS0I-4QJH-WS0F-VZM41306KZGF-low.jpg图 7-1 增强型 HotRod QFN 封装高侧 FET 振铃
GUID-20210908-SS0I-1BKM-5KXQ-KMWWS2JZWFMQ-low.jpg图 7-2 HotRod 封装高侧 FET 振铃