ZHCT355 October   2021 TPS548B27 , TPS548B28

 

  1. 1 引言
  2. 2 设计注意事项
  3. 3 布局比较
  4. 4 热性能比较
  5. 5 效率比较
  6. 6 负载瞬态比较
  7. 7 开关节点振铃比较
  8. 8 结论
  9. 9 附加资源
  10. 10重要声明

4 热性能比较

每个电路板均在 15A 电流下运行，当每种设计在同样的条件下运行时，测量了各自的 IC 温度。增强型 HotRod QFN 封装的 IC 温度为 70.3°C，如图 4-1 中所示。HotRod 封装的温度也是 70.3°C，如图 4-2 中所示。未观察到其他明显的差异。可以有把握地得出结论，两个封装示例之间的温度差异可能是由 IC 的批次间工艺变化引起的，如漏源导通电阻 (RDS(on)) 或开关频率。增强型 HotRod QFN 封装与 HotRod 封装相比，在热性能上未带来任何改进或降级。

GUID-20210908-SS0I-ST7Q-4KQ9-T7SFCLV5RB4W-low.jpg图 4-1 增强型 HotRod QFN 封装热性能图像
GUID-20210908-SS0I-M0L2-WWDG-BKQSHFBQN26M-low.jpg图 4-2 HotRod 封装热性能图像