ZHDU162A May   2026  – August 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 编解码器设计
      2. 2.2.2 D 类放大器设计
      3. 2.2.3 电源设计
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 PCMD3180-Q1
      2. 2.3.2 TAS6511-Q1
      3. 2.3.3 LMR51450-Q1
      4. 2.3.4 TLV767-Q1
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件
      1. 3.2.1 示例脚本
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 PCB 布局建议
    2. 4.2 工具与软件
      1. 4.2.1 工具
      2. 4.2.2 软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5.     商标
  11. 5作者简介
  12. 6修订历史记录

4.1.3 PCB 布局建议

以下指南可以优化器件性能：

  • 将散热焊盘连接至地。采用过孔阵列将器件散热焊盘（即器件正下方的区域）连接至接地平面，以帮助器件散热。
  • 电源的去耦电容器必须放置在靠近器件引脚的位置。
  • 电源去耦电容器必须使用具有低 ESR 的陶瓷类型。
  • 必须使用外部电容器对器件内部基准电压进行滤波。将滤波电容器放置在 VREF 引脚附近以获得峰值性能。
  • 直接将 VREF 和 MICBIAS 外部电容器接地端子短接至 AVSS 引脚，无需为该连接引线使用任何过孔。
  • 将 MICBIAS 电容器（具有低等效串联电阻）放置在靠近具有最小引线阻抗的器件处。
  • 使用接地平面为器件和去耦电容器之间的电源和信号电流提供最低阻抗。将器件正下方的区域视为器件的中心接地区域，所有器件接地必须直接连接到该区域。
  • LC 滤波器中电容器的接地连接具有直接路径，可返回至器件以及 TAS6511-Q1 所在 PCB 同一层上的接地回路。该直接路径可以改善共模 EMI 抑制。
  • PVDD 上的去耦电容器非常靠近器件，接地回路靠近接地引脚。
  • 与器件引脚位于同一侧的接地平面能够为高频开关电流提供极低的环路阻抗，有助于降低 EMI。在该平面区域放置多个接地过孔，以实现低阻抗接地返回路径并改善散热能力。
  • 必须尽可能缩短从输出引脚到电感器的布线，以便允许开关电流的最小环路。