ZHDU076 March 2026
此参考设计提供了一个用于为额定电压高达 3.3kV 的场效应晶体管 (FET) 实现栅极驱动设计的模板。通过使用具有分离输出的单通道隔离式前置驱动器,可以驱动多种型号的功率 FET,同时保持高灌电流和拉电流能力。通过整合直流/直流隔离式偏置电源和受控的输出轨电压,进一步提升驱动设计的性能,从而实现更低 RDS(on) 运行。