ZHDU076 March   2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 UCC35131-Q1
      2. 2.3.2 UCC218915-Q1
  9. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.2 设计注意事项

此参考设计采用栅极驱动器板，通过两个外部 PWM 信号控制两个功率碳化硅 FET。该设计专门用于驱动两个碳化硅 (SiC) 功率模块内的 FET：

  • G4H22MT33GB4 模块包含额定电压为 3.3kV、导通电阻为 2.2mΩ 的 FET，
  • G4H11MT23BH4 模块采用额定电压为 2.3kV、导通电阻为 1.1mΩ 的 FET。