ZHDT039 July   2026 TMCS2100-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 行业痛点:传统带磁芯霍尔方案的瓶颈
  5. 2全面比较:TI 无磁芯霍尔方案与传统带磁芯霍尔方案
    1. 2.1 基础架构差异
    2. 2.2 关键性能和工程痛点比较表
    3. 2.3 成本与研发投入分析
  6. 3TI 无磁芯霍尔传感器的优势
  7. 4结语
  8. 5参考资料

摘要

随着 SiC/GaN 高频功率器件的广泛应用,电动汽车、储能 PCS、AI 服务器电源以及光伏逆变器等设备持续向小型化、高功率密度和高速保护方向发展。传统带磁芯霍尔传感器正面临越来越明显的限制,包括磁饱和、磁滞、体积庞大以及装配公差影响。TI 无磁芯霍尔电流传感器取消了磁通集中磁芯结构,利用多信号组合、芯片内部校准与补偿以及杂散磁场抑制算法解决上述痛点,成为下一代电流检测领域的领先采样架构。