ZHDA299A June   2014  – December 2021 DRV5013 , DRV5013-Q1 , DRV5023 , DRV5023-Q1 , DRV5033 , DRV5033-Q1 , DRV5053 , DRV5053-Q1

 

  1.   1
  2.   了解和应用霍尔效应传感器数据表
  3.   商标
  4. 1单元
  5. 2实用概念
  6. 3极性
  7. 4数字霍尔传感器功能
    1. 4.1 搭载数字霍尔传感器的设计示例
  8. 5线性霍尔传感器功能
    1. 5.1 线性度
    2. 5.2 噪声
    3. 5.3 磁通密度计算器
    4. 5.4 使用模拟霍尔传感器进行设计的示例
  9. 6有关其他数据表规范的信息
  10. 7修订历史记录

3 极性

符号 B 用于表示磁通密度。大多数 TI 霍尔传感器采用的惯例是：从器件底部穿过顶部的磁场为正 B，从器件顶部穿向底部的磁场则为负 B。TMAG5273 线性 3D 霍尔效应传感器这是一个例外情形，它将从器件顶部穿向底部的磁场定义为正磁场。平面外一维 (1D) 位置传感器对垂直于封装内芯片的磁场分量敏感。另一方面，平面内 1D 位置传感器对磁极与裸片在同一平面内的使用情境敏感。3D 线性霍尔传感器使用一个平面外感应元件和两个平面内感应元件来检测三个方向上的磁场。

DRV5013 DRV5023 DRV5033 DRV5053 1D 平面外传感器磁场方向的典型极性图 3-1 1D 平面外传感器磁场方向的典型极性