5 总结

功率密度的急剧提升以及随之而来的 PCB 铜箔用量缩减，为 TMCS114x 系列等封装内霍尔效应电流传感器构筑了严苛的热环境。虽然基于传统 JEDEC 标准的 R_θja 模型可提供便捷的一阶结温估算，但其假设芯片静态功耗是主要的热源。本文中的测量结果表明，在这些器件的电流典型值下，引线框中耗散的功率很快就会超过静态功耗，并从根本上改变热响应。因此，当布局或铜箔分布偏离用于生成 JEDEC 参数的参考电路板时，仅依赖单次环境温度测量可能会导致显著的误差。

使用 ISOTMP35R 等隔离式温度传感器 IC 直接监测引线框温度，可以实现一种稳健的结温估算替代方法。数据表明，引线框温度升高与结温之间存在线性关系，其有效热阻约为 5°C/W，且该值在室温 (25°C) 和高温 (125°C) 环境下均保持一致。

总体而言，该研究验证了以引线框为核心的热模型，结合直接温度测量，提供了一种更准确且便于设计的方法，用于评估 TMCS114x 霍尔效应传感器在高密度功率应用中的安全工作极限。未来的工作可将这种方法扩展至其他封装类型、不同体积与重量的铜箔区域，并探索利用测得的引线框温度实现动态限流的主动热补偿技术。