摘要

在现代电气化系统中，功率密度的急剧提升以及 PCB 铜箔用量的减少，为 TMCS114x 系列等封装内霍尔效应电流传感器构筑了严苛的热环境。本文对 TMCS1143 传感器中使用的 DVF 封装进行了全面的热分析。本文研究了两种互补的特性评估方法：(1) 基于电流的传统方法：通过对稳态电流温度数据进行最佳曲线拟合来推导结温；(2) 替代方法：使用隔离式温度传感器 IC ISOTMP35R 直接监测环境温度和引线框温度。结果表明，在超出低电流工作范围后，引线框中耗散的功率会迅速超越静态芯片功率，这会导致传统的 JEDEC 模型低估结温。在较高功率下，引线框温度升高与结温之间表现出线性关系，产生的有效热阻约为 5°C/W，该热阻在 TMCS143 评估模块的测试温度范围内保持一致。