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ISOTMP35R

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±2.0°C 5kVRMS reinforced isolated temperature sensor with analog output

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产品详情

Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10400 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 Interface type Analog output Integrated isolated power Yes Local sensor accuracy (max) 2 Sensor gain (mV/°C) 10 Supply current (max) (µA) 60 Supply voltage (min) (V) 3.1 Supply voltage (max) (V) 34 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog TI functional safety category Functional Safety-Capable
Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7000 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10400 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 Interface type Analog output Integrated isolated power Yes Local sensor accuracy (max) 2 Sensor gain (mV/°C) 10 Supply current (max) (µA) 60 Supply voltage (min) (V) 3.1 Supply voltage (max) (V) 34 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog TI functional safety category Functional Safety-Capable
SSOP (DFP) 12 37.595 mm² 3.65 x 10.3
  • 稳健的集成隔离：
    • 可承受的隔离电压：5kVRMS
    • 隔离工作电压：1.06kVRMS
    • 隔离栅寿命：> 15 年

    • 提供基础型隔离选项

  • 温度传感器精度：
    • ±0.5°C（25°C 时的典型值）
    • 0°C 至 70°C 范围内为 ±2.0°C（最大值）
    • -40°C 至 150°C 范围内为 ±3.0°C（最大值）

  • 宽电源电压范围：3.1V 至 34V

  • 模拟输出：
    • 10mV/°C 正斜率
    • 0°C 下的偏移电压为 500mV
    • 输出电压范围：100mV 至 2.0V
  • 快速热响应：< 4s
  • 高 CMTI：65kV/µs
  • 低功耗：45µA（典型值）

  • DFP (SSOP-12) 封装

  • 安全相关认证：
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5kVRMS 隔离
  • 稳健的集成隔离：
    • 可承受的隔离电压：5kVRMS
    • 隔离工作电压：1.06kVRMS
    • 隔离栅寿命：> 15 年

    • 提供基础型隔离选项

  • 温度传感器精度：
    • ±0.5°C（25°C 时的典型值）
    • 0°C 至 70°C 范围内为 ±2.0°C（最大值）
    • -40°C 至 150°C 范围内为 ±3.0°C（最大值）

  • 宽电源电压范围：3.1V 至 34V

  • 模拟输出：
    • 10mV/°C 正斜率
    • 0°C 下的偏移电压为 500mV
    • 输出电压范围：100mV 至 2.0V
  • 快速热响应：< 4s
  • 高 CMTI：65kV/µs
  • 低功耗：45µA（典型值）

  • DFP (SSOP-12) 封装

  • 安全相关认证：
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5kVRMS 隔离

ISOTMP35R 是业界首款增强型隔离式温度传感器 IC，集成了隔离栅，可承受高达 5kVRMS 电压，具有一个模拟温度传感器，可在 –40°C 至 150°C 范围内实现 10mV/°C 的斜率。通过这种集成，可将传感器与高压热源（例如，功率 MOSFET、IGBT 和汇流条）共位放置，从而无需使用外部隔离放大器或隔离式数据转换器。与通过将传感器放置在较远位置来满足隔离要求的方法相比，直接接触高压热源还可提供更高的精度和更快的热响应。

ISOTMP35R 在 3.1V 至 34V 的宽电源电压范围内运行，能够在高压域上没有稳压低压轨的系统中实现灵活集成。

对于 −40°C 至 150°C 的温度范围，ISOTMP35R 的输出电压范围为 100mV 至 2.0V。ISOTMP35R 不需要进行任何外部校准或修整，即可在室温下提供 ±0.5°C 的最坏情况下的精度，并可在 -40°C 到 150°C 的全温度范围提供 ±3.0°C 精度。ISOTMP35R 的线性输出、500mV 失调电压和工厂校准简化了在需要读取负温度的单电源环境中的电路要求。

集成隔离栅满足 UL 1577 的要求。表面贴装封装（12 引脚 SSOP）可提供从热源到嵌入式热传感器的出色热流，更大限度地降低热质量并提供更精确的热源测量。这降低了对耗时热建模的需求，并通过减少由于制造和组装而产生的机械变化来提高系统设计裕度。

ISOTMP35R 是业界首款增强型隔离式温度传感器 IC，集成了隔离栅，可承受高达 5kVRMS 电压，具有一个模拟温度传感器，可在 –40°C 至 150°C 范围内实现 10mV/°C 的斜率。通过这种集成，可将传感器与高压热源（例如，功率 MOSFET、IGBT 和汇流条）共位放置，从而无需使用外部隔离放大器或隔离式数据转换器。与通过将传感器放置在较远位置来满足隔离要求的方法相比，直接接触高压热源还可提供更高的精度和更快的热响应。

ISOTMP35R 在 3.1V 至 34V 的宽电源电压范围内运行，能够在高压域上没有稳压低压轨的系统中实现灵活集成。

对于 −40°C 至 150°C 的温度范围，ISOTMP35R 的输出电压范围为 100mV 至 2.0V。ISOTMP35R 不需要进行任何外部校准或修整，即可在室温下提供 ±0.5°C 的最坏情况下的精度，并可在 -40°C 到 150°C 的全温度范围提供 ±3.0°C 精度。ISOTMP35R 的线性输出、500mV 失调电压和工厂校准简化了在需要读取负温度的单电源环境中的电路要求。

集成隔离栅满足 UL 1577 的要求。表面贴装封装（12 引脚 SSOP）可提供从热源到嵌入式热传感器的出色热流，更大限度地降低热质量并提供更精确的热源测量。这降低了对耗时热建模的需求，并通过减少由于制造和组装而产生的机械变化来提高系统设计裕度。
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* 数据表 ISOTMP35R 具有快速响应时间 (< 4s) 和 1.06kVRMS 工作电压的 ±2.0°C 、5kVRMS 增强隔离式模拟温度传感器 (10mV/°C) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 2026年 5月 28日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISOTMP35REVM — ISOTMP35R 评估模块

ISOTMP35R 是业内较早推出的增强型隔离式温度传感器 IC，可提供与摄氏温度成正比的模拟输出电压。ISOTMP35R 具有 10mV/°C 的模拟输出正斜率增益和 500mV 偏移电压。ISOTMP35REVM 评估模块设计用于评估隔离式温度传感器。ISOTMP35REVM 还具有一个可分离可拆式 ISOTMP35R 温度传感器电路板和一个螺孔，便于连接到高压汇流排或功率 MOSFET。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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评估模块 (EVM) 用 GUI

ISOTMP35REVM-GUI — GUI for ISOTMP35R evaluation module (EVM)

GUI for ISOTMP35REVM available to users both web-based and downloadable
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件
启动
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DFP) 12 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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