解决测量尖峰问题后，即可对 TPS62912 与 LDO 的性能进行比较。

图 3-5 和图 3-6 展示了在 8K、30fps 录像配置下，CMOS 模块中降压转换器与 LDO 的电压纹波差异。

比较图 3-5 和图 3-6 可知，两者的平均电压纹波和峰间值电压较为接近。平均电压约为 -11.5mV，峰间值电压约为 9mV。

基于这些结果，我们进行了图像质量测试，以评估降压转换器和 LDO 的实际性能。图像质量评估采用黑帧测试，即在完全黑暗的环境中拍摄图像以评估噪声性能，如第 2 节所述。

结果如下所示：

TPS62912 的输入和输出电容器与 EVM 板上的电容器相同。结果表明，TPS62912 的行噪声性能不如 LDO。

如前文所述，LDO 与降压转换器的平均纹波和峰间值电压相当。进一步分析后，我们确定环路响应是关键的性能差异因素。LDO 的环路响应速度快于 TPS62912。

基于这一发现，我们添加了 100pF 的前馈电容器，以评估 TPS62912 输出电压的性能变化。

左侧显示了不带 100pF 电容器的电路板，右侧显示了带有 100pF 电容器的电路板。

图 3-7 显示，在反馈环路中加入了 100pF 电容器后，虽然峰间值电压保持不变，但带 100pF 电容器的响应时间从不带电容器时的 90μs 缩短至 60μs。更重要的是，添加电容器后大幅降低了尖峰幅度，产生的波形也更加平滑。

根据这些发现，我们在电路板上添加了 100pF 电容器，并连接到 CMOS 传感器进行了行噪声复测。表 3-3 展示了带 100pF 前馈电容器的结果。

根据结果，前馈电容器可大幅提升 TPS62912 的噪声性能，使其接近 LDO 水平。