ZHDA108 April   2026 TMCS1143

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2详细说明
    1. 2.1  霍尔效应封装内电流传感器
    2. 2.2  电流传感器和模块
    3. 2.3  设计要求
    4. 2.4  电流功能
    5. 2.5  精度
    6. 2.6  瞬态响应
    7. 2.7  环境磁场抑制 (AFR)
    8. 2.8  封装和尺寸
    9. 2.9  价格
    10. 2.10 附加特性
  6. 3总结
  7. 4参考资料

瞬态响应

在瞬态阶跃响应部分,考虑了四个参数:传播延迟 (tpd)、响应时间 (tr)、转换率 (SR) 和带宽 (BW)。输入电流IIn达到最终值的 10% 与输出电压Vout达到最终值的 10% 之间的时间间隔定义为tpd.对于一个能使输出电压产生 1V 变化的输入电流阶跃,IIn达到最终值的 90% 与Vout达到最终值的 90% 之间的时间间隔定义为tr.不同的竞品对tpdtr的测量方式不同,因此,为保证公正性,我们按照图 2 所示的方法进行测量。带宽对于验证电流传感器是否满足应用要求至关重要,因为它决定了输入信号及其相关谐波能够被器件完全放大的频率上限。这有助于重建精确的输出信号,而不会因谐波衰减而失真。

 瞬态阶跃响应图 2-2 瞬态阶跃响应

对每个器件的响应时间tr和传播延迟tpd进行了测量,并根据表 2-2 中列出的数据表比较了带宽。

表 2-2 响应时间和带宽
器件技术tpdtr带宽
TI TMCS1143霍尔效应封装内 IC0.14µs1.03µs275kHz
Comp1霍尔效应封装内 IC1.42µs3.42µs200kHz
Comp2电流模块0.087µs0.10µs400kHz
Comp3电流模块0.84µs0.76µs400kHz
Comp4电流传感器3µs3.74µs240kHz
Comp5电流传感器0.124µs0.78µs300kHz
 TI TMCS1143 响应时间图 2-3 TI TMCS1143 响应时间
 每个水平分频在 500ns 时的 Comp1 响应时间图 2-4 每个水平分频在 500ns 时的 Comp1 响应时间
 每个水平分频在 2μs 时的 Comp1 响应时间图 2-5 每个水平分频在 2μs 时的 Comp1 响应时间
 Comp2 响应时间图 2-6 Comp2 响应时间
 Comp3 响应时间图 2-7 Comp3 响应时间
 每个水平分频在 500ns 时的 Comp4 响应时间图 2-8 每个水平分频在 500ns 时的 Comp4 响应时间
 每个水平分频在 2μs 时的 Comp4 响应时间图 2-9 每个水平分频在 2μs 时的 Comp4 响应时间
 Comp5 响应时间图 2-10 Comp5 响应时间

比较数据表中规定的所有器件的带宽发现,双向开环电流传感器 (Comp3) 和开环电流传感器 (Comp4) 能够对快速变化的电流做出更快且准确的响应,但可能会做出一些权衡,例如对噪声的灵敏度。与其他器件相比,开环电流传感器 (Comp4) 的速度特别慢,这是因为其外部初级导体根据所用导线的不同会增加电感量。电感可以通过更大的导线来降低,但代价是系统总成本会增加。