要通过抑制器件附近外部磁场的干扰来确保测量精度，环境磁场抑制 (AFR) 至关重要。具有良好 AFR 的器件可确保精确测量，并简化主要设计挑战。为了测试磁抑制比，我们使用了亥姆霍兹线圈和低温探针。通过两个平行的亥姆霍兹线圈产生均匀磁场，两个线圈中流过大小相等、方向相同的电流。向亥姆霍兹线圈施加电流以建立所需的均匀磁场；使用探针测量 Z 方向的磁场，并将待比较的器件放置在探针附近。然后测量并记录每个器件的 $V_{out}$ ，如图 2-11 所示。开环电流传感器 (Comp4) 的测试存在一些限制，因为该元件需要外部电缆连接到 PCB，这可能会干扰测试结果。图 9 显示 TI TMCS1143 具有最好的 AFR，因为 $V_{out}$ 不会像其他元件那样受到影响，尤其是开环传感器 (Comp2)。