对于精度测量，需要考虑三个分量：电偏移误差、磁偏移误差和灵敏度。电偏移误差（也称为电压偏移误差）$V_{OE}$是指无输入电流流过时，相对于理想$V_{out}$的偏差。该测试的运行方法是输入零电流并测量零电流输出电压$V_{out，0A}$.$V_{OE}$然后使用公式 1 计算得出。对于磁偏移误差，器件饱和至其最大电流的 110%，然后返回到静态点，然后在无电流的情况下采集$V_{out}$。计算偏移电压是为了确定是否由于磁场饱和引起的任何残留效应而发生任何变化。最后，灵敏度是指传感器的输出电压$V_{out}$随输入电流$I_{IN}$变化而产生的变化量，该变化量也可视为图 1 所示的斜率。灵敏度测试方法为：首先在无输入电流流过时测量传感器的$V_{out}$，然后施加不同的电流负载并记录相应的$V_{out}$，进而计算斜率。最后，灵敏度误差$e_{SENS}$使用公式 2 计算得出。

从结果可以看出，TI TMCS1143 具有最低的偏移电压，与除闭环电流传感器 (Comp5) 之外的所有其他竞品类似，器件饱和后不会观察到磁滞。值得注意的是，Comp5 显示出 3mV 的差异，因为这是一款闭环电流传感器，并且已知此类方法的磁滞效应可降至最低。从灵敏度结果可以看出，具有较低灵敏度的传感器（如 Comp4、TMCS1143 和 Comp5）可能是高电流应用的更优解决方案，因为这对于在不饱和的情况下覆盖整个电流范围非常重要。

图 2-1 灵敏度、偏移和非线性度误差