为了简化功率计算，可以通过仿真功率代替执行复杂计算，以简化功率计算。方法如下：

使用测得的值 V_delta（施加到 INA1650-Q1 的电压）和 I_{_Load}，使用 Tina 的后处理公式将它们相乘即可得到功率。通过点击功率曲线并转到 Process > Averages，即可计算出 RMS 功率，即 258.02mWrms。

要根据 97°C/W 的 INA1650-Q1 热参数 θJA 来估算温升，得到生的温升为：258.02mW × 97°C/W = 25.03°C。将此温升与 85°C 环境温度相加，我们就得到了芯片温度为 110.03°C。不过，还应考虑器件本身的功耗。当 Iq 为 10mA 且电源电压为 9V 时，该器件会额外消耗 90mW (10mA × 9V) 的功率。这会使芯片温度增加 8.73°C (90mW * 97°C/W)，从而使芯片总温度达到 118.76°C。

根据 INA1650-Q1 数据表，在芯片温度为 125°C 时，器件可提供的最大电流约为 53mA。通过使用并联放大器，虽然无法实现电流的完美倍增，但用户仍能获得比单个放大器更大的电流。对于该设计所需的 100mW 最大输出功率，需要 80mA 的峰值驱动电流，这可通过 INA1650-Q1 的双通道并联配置来实现。