减少降压转换器中高 dv/dt 的 EMI 辐射的一种常见方法是减缓 SW 节点的速度。通过减慢 SW 节点，器件寄生电容产生的电压峰值不那么明显，从而减少了相关的辐射电场。对于许多器件，这是通过与自举电容器串联的电阻器来实现的。但是，TPSM33620-Q1 具有集成式自举电容器，因此无法访问自举电容器。此外，添加与引导电容器串联的电阻会导致器件产生更多热量，因为这会强制高侧 FET 导通更长时间。在只能访问 SW 的情况下，缓冲器电路是 TPSM33620-Q1 上降低 dv/dt 速度的唯一方法。

图 3-2 展示了 TPSM33620-Q1 的开关节点。与任何高 dv/dt 环路一样，在高频范围内都存在过冲和下冲。这些电压尖峰会在这些频率范围内产生相关 EMI 峰值。测量 dv/dt 峰值的频率可得到 400MHz 到 500MHz 范围内的频率，这与图 3-3 和图 3-4 中的 EMI 尖峰相匹配。由于存在这种噪声的开关节点，TPSM33620-Q1 在 400MHz 到 500MHz 频率范围内会错过 EMC 的几个 dB。

为了解决这些发射问题，通过抑制该节点中的寄生电感来“缓冲”高频 dv/dt。缓冲电路从开关节点吸取能量，从而降低对 EMI 的影响。本技术文章可以用于计算有效抑制开关节点所需的 RC 常数。值得注意的是，通过减小电阻并增加缓冲器的电容，可以增加衰减的能量。对于 TPSM33620-Q1，缓冲电阻器降低至 1Ω，缓冲电容器增加至 1000pF 以进行补偿。图 3-5 显示了开关节点中更低的 dv/dt 尖峰。因此，图 3-6 和图 3-7 显示了在开关振铃产生噪声的高频区域的改进。虽然可有效降低 EMI，但缓冲器电路会耗散更多能量，从而降低应用的效率。借助此缓冲器电路，TPSM33620-Q1 在 2A 负载下的功耗可增加 30mW。