ZHCUCT7A February 2025 – March 2025
建议将高侧 FET 直接置于所有低侧 FET 之间。在这种设计中有三个低侧 FET,因此高侧 FET 放置在中间低侧 FET 的正上方。特定 FET 放置背后的意图是通过单个高侧 GaN FET 实现平衡的回流路径,以减少潜在的开关节点振铃。