ZHCUCR8 January   2025 LMG3650R070

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 套件内容
  7. 2硬件
    1. 2.1 LMG3650EVM-115 子卡型号
    2. 2.2 LMG3650EVM-115 子卡引脚说明
    3. 2.3 LMG3650EVM-115 子卡方框图
    4. 2.4 LMG3650EVM-115 故障
    5. 2.5 LMG3650EVM-115 自举模式
    6. 2.6 LMG3650EVM-115 散热器
  8. 3实现结果
    1. 3.1 测试设备
  9. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 PCB 布局
    3. 4.3 物料清单 (BOM)
  10. 5其他信息
    1. 5.1 商标

说明

LMG3650EVM-115 配有两个 LMG3650R070 650V GaN FET，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。基本功率级和栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的，以最大程度地减少电源环路的寄生电感，从而减少电压过冲，提升性能。LMG3650EVM-115配置为插槽式外部连接，可方便地与外部功率级连接，以在各种应用中运行 LMG3650R070。在使用此 EVM 之前，请参阅 LMG3650R070 数据表。