4 负载配置

此 EVM 可支持不同的负载配置，从而最大程度地为用户提供灵活性。

1. MOSFET 配置：
   1. 图 4-1 显示了使用两个背对背公共源 MOSFET 的应用。通过在 SW1 和 SW2 端子之间连接负载，用户可以为 EVM 加载交流或直流负载。通过使用两个背对背 FET，体二极管能够切断正电压和负电压。此外，可以通过添加 RC 缓冲器在出现高电感负载时抑制开关振荡。
      图 4-1 交流/直流负载
   2. 图 4-2 显示了使用两个并联公共源 MOSFET 的应用。此操作可使用户实现更低的 RDSON。由于一个 MOSFET 在关闭时不能阻断反向电流，所以此配置的建议负载是直流负载。
      图 4-2 直流负载
   3. 图 4-3 显示了使用一个 MOSFET（Q1）且未组装（Q2）的可能负载配置。通过短接 SW2 端子与 VSSS 端子连接高电感负载时，此配置允许添加 RC 缓冲器。
   图 4-3 带 RC 缓冲器的直流负载
2. SCR 配置：
   1. 图 4-4 显示了使用 SCR 的可能负载配置。在这种情况下，TI 建议使用 TPSI3050S-Q1，它可以通过一个脉冲驱动 SCR，从而一次性触发使能端。由于短时间持续电源可触发大多数 SCR，此操作很有效。
   图 4-4 直流负载的 SCR
3. 高电感负载的 MOSFET 或 SCR：
   1. 图 4-5 显示了高电感负载的可能负载配置。使用 Q1（MOSFET）或 D2（SCR）作为 S1（开关元件）可实现该设置。该设置为添加 D3 提供了空间，当 S1 关断电感负载时，D3 可以作为钳位二极管来提供对地连接。
   图 4-5 RL 负载