TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部电源开关结合使用时，可构成完整的隔离式固态继电器解决方案。TPSI3050-Q1 专为汽车和工业应用而设计，如电池管理系统、电动汽车/混合动力汽车车载充电器、SSR 取代机械继电器、直流链路预充电等。TPSI3050-Q1 采用紧凑型 SOIC 封装，可利用集成的独特隔离技术，无缝取代继电器，且无需次级侧电源。TPSI3050-Q1 集成式隔离保护功能极其稳健，与使用传统机械继电器和光耦合器的产品相比，其可靠性更高、功耗更低，且温度范围更宽。

表 2-1 显示了测试点、连接器和端子块的功能。表 2-2 显示了引脚功能。

在两线模式中，可以使用 EN 和 VSSP 两个引脚控制 TPSI3050-Q1。当 EN 大于或等于 6.5V 时，向器件供电。当 EN 电压为高电平时，向器件的次级侧供电。当 EN 为低电平时，停止向次级侧传输电源，MOSFET 或 SCR 关闭。

要为双线模式配置 EVM，必须进行以下更改：

1. 移除 J2 接头。将 Cin 连接 VSSP，使 VDDP 悬空。
2. 使用端子块 J1 提供 EN 电压。

图 3-2 直观地展示了如何为两线模式配置电路板：

三线模式适用于以下应用：需要 TPSI3050-Q1 可提供的更高的电源传输水平和最快的开关启用和禁用速度。在此模式中，电源从初级侧传输到次级侧，与使能引脚的状态无关。将 EN 引脚设置为高电平或低电平可使 V_DRV 驱动外部电源 MOSFET 或 SCR。

要为三线模式配置 EVM，必须进行以下更改：

1. 使用 J2 接头可直接向 VDDP 供电，也可通过具有 5V 输出电压的 LDO 间接供电。
   1. 向 VDDP 直接供电：将 J2 分流器置于位置 1 和位置 2 之间。此操作可使用户直接向 VDDP 供电。
      图 3-7 三线模式 VDDP 直接供电
   2. 通过 LDO 向 VDDP 供电：将 J2 分流器置于位置 2 和位置 3 之间。用户可以通过具有 5V 输出电压的 LDO 间接向 VDDP 供电。
      图 3-8 三线模式通过 5V LDO 向 VDDP 供电
2. 使用端子块 J2 提供 EN 电压。
   表 3-2 三线模式的电源选择

   J4 接头	电源转换器占空比（三线模式，标称值）
   PXFR #1 (7.32kΩ)	13.3%
   PXFR #2 (20kΩ)	93.3%

此 EVM 可支持不同的负载配置，从而最大程度地为用户提供灵活性。

1. MOSFET 配置：
   1. 图 4-1 显示了使用两个背对背公共源 MOSFET 的应用。通过在 SW1 和 SW2 端子之间连接负载，用户可以为 EVM 加载交流或直流负载。通过使用两个背对背 FET，体二极管能够切断正电压和负电压。此外，可以通过添加 RC 缓冲器在出现高电感负载时抑制开关振荡。
      图 4-1 交流/直流负载
   2. 图 4-2 显示了使用两个并联公共源 MOSFET 的应用。此操作可使用户实现更低的 RDSON。由于一个 MOSFET 在关闭时不能阻断反向电流，所以此配置的建议负载是直流负载。
      图 4-2 直流负载
   3. 图 4-3 显示了使用一个 MOSFET（Q1）且未组装（Q2）的可能负载配置。通过短接 SW2 端子与 VSSS 端子连接高电感负载时，此配置允许添加 RC 缓冲器。
   图 4-3 带 RC 缓冲器的直流负载
2. SCR 配置：
   1. 图 4-4 显示了使用 SCR 的可能负载配置。在这种情况下，TI 建议使用 TPSI3050S-Q1，它可以通过一个脉冲驱动 SCR，从而一次性触发使能端。由于短时间持续电源可触发大多数 SCR，此操作很有效。
   图 4-4 直流负载的 SCR
3. 高电感负载的 MOSFET 或 SCR：
   1. 图 4-5 显示了高电感负载的可能负载配置。使用 Q1（MOSFET）或 D2（SCR）作为 S1（开关元件）可实现该设置。该设置为添加 D3 提供了空间，当 S1 关断电感负载时，D3 可以作为钳位二极管来提供对地连接。
   图 4-5 RL 负载