ZHCU924 July   2022

 

  1.   说明
  2.   资源
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1系统说明
  7. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 MIL-STD-1275E 与 MIL-STD-1275D
      2. 2.2.2 反极性事件
      3. 2.2.3 电压尖峰事件
      4. 2.2.4 电压尖峰事件：元件选型
      5. 2.2.5 电压浪涌事件
      6. 2.2.6 电压浪涌事件：元件选型
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 LM7480-Q1
      2. 2.3.2 LM5069
  8. 3硬件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  9. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标

2.2.4 电压尖峰事件：元件选型

为了防止 MIL-STD-1275E 概述的 ±250V 电压尖峰事件，电路中有三个主要组件可帮助抑制电压尖峰。第一个组件是原理图中的主 MOSFET 或 Q1。选择额定电压大于 250V 的 MOSFET，以帮助实现尖峰电压抑制，并确保 MOSFET 不会因电压尖峰事件而损坏。其他两个有助于抑制的元件是 TVS 二极管 D3 和 D5。TVS 二极管 D3 抑制主要的 +250V 电压尖峰事件。将 D3 的击穿电压设置为大于浪涌事件的最大电压 (100V) 但小于最大电压尖峰事件，以确保 TVS 二极管在浪涌事件期间不会损坏。该电路中使用了击穿电压为 120V 的 5.0SMDJ120A。

D5 用于抑制主要的 –250V 电压尖峰事件。要选择合适的二极管，必须考虑几个参数。第一个是，在 –250V 电压尖峰事件期间， Q1 的体二极管可以耐受 –250V 电压，因此 Q2 会完全检测到尖峰事件。这意味着 D5 的击穿电压应小于 Q2 的额定电压。在此设计中，5.0SMDJ33CA 是双向 TVS 二极管，其反向击穿电压为 –33V，低于 Q2 的额定电压 (60V)。