ZHCU626C January   2019  – May 2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 MSPM0G1506
      2. 2.3.2 LMG2100R044
      3. 2.3.3 INA241
      4. 2.3.4 TPSM365
      5. 2.3.5 TMP303
    4. 2.4 系统设计原理
      1. 2.4.1 MPPT 运行
      2. 2.4.2 降压转换器
        1. 2.4.2.1 输出电感
        2. 2.4.2.2 输入电容
      3. 2.4.3 电流检测放大器
        1. 2.4.3.1 分流电阻器选型
        2. 2.4.3.2 电流测量分辨率
        3. 2.4.3.3 分流电阻器功率耗散
      4. 2.4.4 开关稳压器
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 所需的硬件和软件
      1. 3.1.1 硬件
        1. 3.1.1.1 TIDA-010042
        2. 3.1.1.2 ITECH-IT6724H
        3. 3.1.1.3 Chroma，63107A
      2. 3.1.2 软件流程
    2. 3.2 测试和结果
      1. 3.2.1 测试设置
      2. 3.2.2 测试结果
  10. 4设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 物料清单
    3. 4.3 PCB 布局建议
      1. 4.3.1 环路电感
      2. 4.3.2 电流检测放大器
      3. 4.3.3 布线宽度
      4. 4.3.4 布局图
    4. 4.4 Altium 工程
    5. 4.5 Gerber 文件
    6. 4.6 装配图
    7. 4.7 软件文件
  11. 5相关文档
    1. 5.1 商标
    2. 5.2 支持资源
  12. 6作者简介
  13. 7修订历史记录

2.3.2 LMG2100R044

TIDA-010042 LMG2100 功能方框图图 2-3 LMG2100 功能方框图

LMG2100R044 器件是一款 80V 连续、 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET（RDS(on) 为 4.4mΩ）。

  • 5V 外部辅助电源
  • 近零反向恢复
  • 非常小的输入电容 CISS 和输出电容 COSS
  • 高压摆率开关，低振铃
  • 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
  • 出色的传播延迟（典型值 29.5ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 低功耗
  • 外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
  • 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用，该器件是理想之选。

LMG2100R044 是一款半桥 GaN 功率级，具有高度集成的高侧和低侧栅极驱动器，包括内置 UVLO 保护电路和过压钳位电路。钳位电路会限制自举刷新操作，以确保高侧栅极驱动器过驱不超过 5.4V。该器件具有两个半桥配置的 4.4mΩ GaN FET。该器件可用于许多隔离和非隔离拓扑，从而实现非常简单的集成。为了更大限度地减少硬开关式降压转换器低侧 FET 的第三象限导通，可以独立控制 HI 和 LI。采用的封装旨在更大限度减小环路电感，同时保持 PCB 设计简单。为更大限度缩短与引脚之间的布线长度，TI 建议使用 0402 尺寸。为更大限度减少寄生电感，应将旁路电容器和自举电容器尽可能靠近器件放置。导通和关断的驱动强度经过了优化，可提供高压转换率，而不会在栅极或电源环路上造成任何过多的振铃。