2 输出电压压摆率控制

这种方法是在栅极与 GND 之间放置电容器 (C)，栅极的压摆率和输出电压可以限制浪涌电流。具有输出电压压摆率控制的电路配置如图 3 所示。

方程式 1 和方程式 2 用于计算启动时的浪涌电流和功率耗散：

由于 MOSFET 在饱和区域运行，因此浪涌电流应足够低，使启动期间功率耗散保持在其安全工作区 (SOA) 以内。当 MOSFET 的功率耗散降低并存在较长的时间段时，MOSFET 可以处理更多能量 (1/2 C_OUTV_IN²)。因此，浪涌间隔需要延长，以便支持更高的容性负载。

这种方法适合慢充电要求（例如 5mF 和 50ms），但设计必须始终考虑 C_OUT、FET SOA、充电时间和工作温度之间的权衡。例如，使用 TI 的高侧开关控制器 TPS1211-Q1 作为栅极驱动器，将 5mF 充电至 12V 需要 40ms（浪涌电流限制为 1.5A）。参考资料 [1] 复述了如何使用此方法在启动期间检查 FET SOA 的过程，而参考资料 [2] 是用于估算特定 MOSFET 的 SOA 裕度的在线工具。