ZHCT819 August 2024 TPS1200-Q1 , TPS1211-Q1

3 并联预充电路径

这种方法通常用于基于大电流并联 FET 的设计，这些设计需要一个额外的栅极驱动器来驱动预充电 FET，如图 4 所示。您可以根据方程式 3 选择预充电路径中的预充电电阻器 (Rpre-ch)，以便将浪涌电流限制为特定值：

方程式 3.

R_{p r e - c h} = \frac{V_{I N}}{I_{I N R}}

由于预充电电阻器可处理启动期间的所有功率应力，因此它应该能够处理平均功率耗散和峰值功率耗散（以方程式 4 和方程式 5 表示）：

方程式 4.

P_{a v g} = \frac{E_{p r e - c h}}{T_{p r e - c h}} = \frac{0.5 \times C_{O U T} \times V_{I N}^{2}}{5 \times R_{p r e - c h} \times C_{O U T}}

方程式 5.

P_{p e a k} = \frac{V_{I N}^{2}}{R_{p r e - c h}}

图 4 并联路径中具有预充电电阻器和 FET 的电路。

在这种情况下可以进行快速输出充电，但代价是要使用非常大的预充电电阻器。例如，在 10ms 内将 5mF 充电至 12V 需要一个额定功率为 36W、峰值功率处理能力为 360W 的 0.4Ω 预充电电阻器，从而形成一个庞大的绕线电阻器。所以，这种解决方案不适用于许多类型的终端设备，因为同一 PCB 上有许多通道。每个通道将需要一个大型电阻器，导致解决方案的空间利用率较低。