4 非陶瓷电容器

对于必须避免使用 MLCC 的应用，存在其他电容器技术。我们也使用了 TLV320ADC6140 EVM^[3] 搭配以下电容器类型执行了 THD+N 测试：

• 标准 1µF 0805 X5R 电容器。
• 1µF 表面贴装技术 (SMT) 钽电容器。
• 1µF 穿孔铝电解电容器。
• 1µF SMT 薄膜电容器。

图 4 显示了该测试的数据。正如预期的那样，1µF SMT 薄膜电容器在整个音频带宽内提供最佳性能，电解电容器次之。该薄膜电容器采用 1206 表面贴装封装，包含金属化丙烯酸电介质，并具有 12V 额定电压。

执行测试时，其他包含聚酯和聚丙烯电介质以及具有更高额定电压的 1μF 薄膜电容器与图 4 中所示的性能没有明显偏差。薄膜电容器的主要缺点是其相对介电常数较低。因此，薄膜电容器往往比对应的 MLCC 电容器大得多。

在文章发布时，该测试中使用的 1206 电容器是现成可用的最小表面贴装 1μF 薄膜电容器。大于 3.3μF 的表面贴装薄膜电容器将需要 1810 或更大的封装，或传统的穿孔盒式封装。

另一方面，钽和铝电解电容器往往比薄膜电容器更小。电解电容器具有极化电介质，这意味着其阳极必须保持比阴极更高的电压，否则电容器可能会损坏。对这些电容器进行的两组测量可以论证电解效应。第一项测试对电容器施加了 +5V 直流偏置以确保极性正确。第二项测试没有应用外部偏置，但用于测试的 TLV320ADC6140 在内部将其输入偏置为 1.5V，因此这些电容器实际上略微反向偏置。由于这种内部偏置，在 +5V 测试用例的评估模块输入端提供的是 +6.5V 电压。通过比较这两组数据可以看出，当极化电容器未正确偏置时，性能会有显著差异。高性能应用必须保证正直流偏置，或避免使用极化电容器进行交流耦合。

这项测试并非详尽无遗；仅用于对不同电容器技术的性能提供一些大致分析。影响电容器性能的因素有很多，因此应根据应用需求仔细选择电容器。关于电容器的最佳指标，音频社区存在很多争论。本文重点介绍了电容器差异如何影响实际应用中的失真。

图 5 显示了用于测试的电路板，表 2 显示了此测试中包含的所有电容器及其各自的特性。