ZHCSZ91 November   2025 LM5126A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件配置（CFG0 引脚、CFG1 引脚、CFG2 引脚）
      2. 6.3.2  器件启用/禁用 (UVLO/EN)
      3. 6.3.3  双器件运行
      4. 6.3.4  开关频率和同步 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  运行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
      7. 6.3.7  VCC 稳压器，BIAS（BIAS 引脚、VCC 引脚）
      8. 6.3.8  软启动（SS 引脚）
      9. 6.3.9  VOUT 编程（VOUT、ATRK、DTRK）
      10. 6.3.10 保护功能
        1. 6.3.10.1 VOUT 过压保护 (OVP)
        2. 6.3.10.2 热关断 (TSD)
      11. 6.3.11 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
      12. 6.3.12 斜率补偿（CSP、CSN）
      13. 6.3.13 电流检测设置和开关峰值电流限制（CSP、CSN）
      14. 6.3.14 输入电流限制和监测（ILIM、IMON、DLY）
      15. 6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制
      16. 6.3.16 信号抗尖峰脉冲概述
      17. 6.3.17 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断状态
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 反馈补偿
      2. 7.1.2 三相运行
      3. 7.1.3 非同步应用
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  确定相位总数
        2. 7.2.2.2  确定占空比
        3. 7.2.2.3  定时电阻器 RT
        4. 7.2.2.4  电感器选型 Lm
        5. 7.2.2.5  电流检测电阻器 (RCS)
        6. 7.2.2.6  电流检测滤波器 RCSFP、RCSFN、CCS
        7. 7.2.2.7  低侧电源开关 QL
        8. 7.2.2.8  高侧电源开关 QH
        9. 7.2.2.9  缓冲组件
        10. 7.2.2.10 Vout 编程
        11. 7.2.2.11 输入电流限制 (ILIM/IMON)
        12. 7.2.2.12 UVLO 分频器
        13. 7.2.2.13 软启动
        14. 7.2.2.14 CFG 设置
        15. 7.2.2.15 输出电容器 Cout
        16. 7.2.2.16 输入电容器 Cin
        17. 7.2.2.17 自举电容器
        18. 7.2.2.18 VCC 电容器 CVCC
        19. 7.2.2.19 BIAS 电容器
        20. 7.2.2.20 VOUT 电容器
        21. 7.2.2.21 环路补偿
      3. 7.2.3 应用曲线
        1. 7.2.3.1 效率
        2. 7.2.3.2 稳态波形
        3. 7.2.3.3 阶跃负载响应
        4. 7.2.3.4 交流环路响应曲线
        5. 7.2.3.5 热性能
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.1 概述

LM5126A-Q1 是一款具有宽输入范围的升压控制器。如果输入电压等于或小于调节后的输出电压，则该器件会提供稳定的输出电压。电阻数字转换 (R2D) 接口使用户可以简单而可靠地选择器件功能。

运行期间，可以通过引脚动态选择 DEM（二极管仿真模式）和 FPWM（强制脉宽调制）运行模式。峰值电流模式控制采用由 RT 引脚设定的固定开关频率运行。通过激活双随机展频运行模式，可以在设计过程的任何时间有效降低 EMI。

集成的平均电流监测器有助于监测或限制输入电流。输出电压可在运行期间动态调整（动态电压调节和包络跟踪）。既可通过 或更改 ATRK/DTRK 引脚的模拟基准电压调整 VOUT，也可以通过在 ATRK/DTRK 引脚上施加 PWM 输入信号直接进行调整。

内部宽输入 LDO 能够在不同的输入和输出电压条件下为器件功能提供可靠的电源。由于具有高驱动能力以及自动和基于余量的电压选择（VBIAS 或 VOUT），功率损耗保持在最低水平。可以将单独的 BIAS 引脚连接到 VI、VOUT 或外部电源，以进一步降低器件中的功率损耗。器件始终会监测内部电源电压，以避免未定义的故障处理。

该器件集成了半桥 N 沟道 MOSFET 驱动器。栅极驱动器电路具有高驱动能力，可驱动各种 MOSFET。栅极驱动器具有一个集成式高压低压差自举二极管。内部自举电路具有一个由负尖峰注入的过压保护机制，以及一个欠压锁定保护机制，以避免外部功率 FET 出现线性运行。集成的电荷泵支持在旁路模式下以 100% 占空比运行。

内置保护功能确保在不同的故障条件下安全运行。器件具有 VI 欠压锁定保护功能，从而避免出现欠压情况。在不同的设计中可以避免欠压，因为输入 UVLO 阈值和迟滞通过外部反馈分压器进行配置。该器件还提供输出过压保护。该器件提供可选的断续过流保护功能，通过使用内部逐周期峰值电流保护功能来避免过大的短路电流。由于集成热关断功能，该器件可防止内部 VCC 稳压器过载情况造成热损坏。所有与输出相关的故障事件都在开漏 PGOOD 引脚上进行监测和指示。