ZHCSZ91 November   2025 LM5126A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件配置（CFG0 引脚、CFG1 引脚、CFG2 引脚）
      2. 6.3.2  器件启用/禁用 (UVLO/EN)
      3. 6.3.3  双器件运行
      4. 6.3.4  开关频率和同步 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  运行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
      7. 6.3.7  VCC 稳压器，BIAS（BIAS 引脚、VCC 引脚）
      8. 6.3.8  软启动（SS 引脚）
      9. 6.3.9  VOUT 编程（VOUT、ATRK、DTRK）
      10. 6.3.10 保护功能
        1. 6.3.10.1 VOUT 过压保护 (OVP)
        2. 6.3.10.2 热关断 (TSD)
      11. 6.3.11 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
      12. 6.3.12 斜率补偿（CSP、CSN）
      13. 6.3.13 电流检测设置和开关峰值电流限制（CSP、CSN）
      14. 6.3.14 输入电流限制和监测（ILIM、IMON、DLY）
      15. 6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制
      16. 6.3.16 信号抗尖峰脉冲概述
      17. 6.3.17 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断状态
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 反馈补偿
      2. 7.1.2 三相运行
      3. 7.1.3 非同步应用
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  确定相位总数
        2. 7.2.2.2  确定占空比
        3. 7.2.2.3  定时电阻器 RT
        4. 7.2.2.4  电感器选型 Lm
        5. 7.2.2.5  电流检测电阻器 (RCS)
        6. 7.2.2.6  电流检测滤波器 RCSFP、RCSFN、CCS
        7. 7.2.2.7  低侧电源开关 QL
        8. 7.2.2.8  高侧电源开关 QH
        9. 7.2.2.9  缓冲组件
        10. 7.2.2.10 Vout 编程
        11. 7.2.2.11 输入电流限制 (ILIM/IMON)
        12. 7.2.2.12 UVLO 分频器
        13. 7.2.2.13 软启动
        14. 7.2.2.14 CFG 设置
        15. 7.2.2.15 输出电容器 Cout
        16. 7.2.2.16 输入电容器 Cin
        17. 7.2.2.17 自举电容器
        18. 7.2.2.18 VCC 电容器 CVCC
        19. 7.2.2.19 BIAS 电容器
        20. 7.2.2.20 VOUT 电容器
        21. 7.2.2.21 环路补偿
      3. 7.2.3 应用曲线
        1. 7.2.3.1 效率
        2. 7.2.3.2 稳态波形
        3. 7.2.3.3 阶跃负载响应
        4. 7.2.3.4 交流环路响应曲线
        5. 7.2.3.5 热性能
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.9 缓冲组件

通过高侧 N 沟道 MOSFET 器件的电阻-电容缓冲网络减少了开关节点处的振铃和尖峰。过多的振铃和尖峰会导致器件运行不稳定，并将噪声耦合到输出电压。最好根据经验选择缓冲器的值。首先，确保缓冲器连接的引线长度非常短。电阻值从 5Ω 到 50Ω 开始。增大缓冲电容值可以增强阻尼效果，但此操作也会导致更高的缓冲器损耗。为缓冲电容器选择一个最小值，该值应在重负载条件下有效抑制开关波形上的尖峰。如果布局经过优化，则可能不需要缓冲器。