ZHCSZ91 November   2025 LM5126A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件配置（CFG0 引脚、CFG1 引脚、CFG2 引脚）
      2. 6.3.2  器件启用/禁用 (UVLO/EN)
      3. 6.3.3  双器件运行
      4. 6.3.4  开关频率和同步 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  运行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
      7. 6.3.7  VCC 稳压器，BIAS（BIAS 引脚、VCC 引脚）
      8. 6.3.8  软启动（SS 引脚）
      9. 6.3.9  VOUT 编程（VOUT、ATRK、DTRK）
      10. 6.3.10 保护功能
        1. 6.3.10.1 VOUT 过压保护 (OVP)
        2. 6.3.10.2 热关断 (TSD)
      11. 6.3.11 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
      12. 6.3.12 斜率补偿（CSP、CSN）
      13. 6.3.13 电流检测设置和开关峰值电流限制（CSP、CSN）
      14. 6.3.14 输入电流限制和监测（ILIM、IMON、DLY）
      15. 6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制
      16. 6.3.16 信号抗尖峰脉冲概述
      17. 6.3.17 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断状态
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 反馈补偿
      2. 7.1.2 三相运行
      3. 7.1.3 非同步应用
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  确定相位总数
        2. 7.2.2.2  确定占空比
        3. 7.2.2.3  定时电阻器 RT
        4. 7.2.2.4  电感器选型 Lm
        5. 7.2.2.5  电流检测电阻器 (RCS)
        6. 7.2.2.6  电流检测滤波器 RCSFP、RCSFN、CCS
        7. 7.2.2.7  低侧电源开关 QL
        8. 7.2.2.8  高侧电源开关 QH
        9. 7.2.2.9  缓冲组件
        10. 7.2.2.10 Vout 编程
        11. 7.2.2.11 输入电流限制 (ILIM/IMON)
        12. 7.2.2.12 UVLO 分频器
        13. 7.2.2.13 软启动
        14. 7.2.2.14 CFG 设置
        15. 7.2.2.15 输出电容器 Cout
        16. 7.2.2.16 输入电容器 Cin
        17. 7.2.2.17 自举电容器
        18. 7.2.2.18 VCC 电容器 CVCC
        19. 7.2.2.19 BIAS 电容器
        20. 7.2.2.20 VOUT 电容器
        21. 7.2.2.21 环路补偿
      3. 7.2.3 应用曲线
        1. 7.2.3.1 效率
        2. 7.2.3.2 稳态波形
        3. 7.2.3.3 阶跃负载响应
        4. 7.2.3.4 交流环路响应曲线
        5. 7.2.3.5 热性能
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制

为了涵盖电阻元件导致的非理想因素，实现了最大占空比限制 DMAX 和最小强制关闭时间。在 CCM 运行模式下，编程的输出电压 VOUT 支持的最小输入电压 VI_MIN 由最大占空比 DMAX 定义（请参阅方程式 23）。在 DEM 运行模式下，最小输入电压 VI_MIN 不受 DMAX 的限制。

方程式 23. VI_MIN ≈VOUT×1-DMAX+II_MAX×RDCR+RSNS+RDSON

其中

  • II_MAX 是最低输入电压 VI_MIN 时的最大输入电流
  • RDCR 是电感器的直流电阻
  • RSNS 是检测电阻的电阻值
  • RDS(ON) 为 MOSFET 的导通电阻

LM5126A-Q1 开关频率与最大占空比间的关系图 6-21 开关频率与最大占空比间的关系

在极轻负载条件下或当 VI 接近 VOUT 时，如果所需导通时间小于 tON-MIN，器件将跳过低侧驱动器脉冲，以避免 VOUT 失控。此脉冲跳跃表现为随机行为。如果 VI 进一步增加到高于 VOUT 的电压，所需导通时间将变为零，且器件最终进入旁路模式，此旁路模式将 100% 导通高边驱动器。