ZHCSZ72A September   2025  – November 2025 UCC27834-Q1 , UCC27884-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 动态电气特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级和互锁
      2. 6.3.2 欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3 电平转换器
      4. 6.3.4 输出级
      5. 6.3.5 低传播延迟和紧密匹配的输出
      6. 6.3.6 HS 节点 dV/dt
      7. 6.3.7 在负 HS 电压条件下运行
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 输入和输出逻辑表
      2. 6.4.2 在 100% 占空比条件下运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 选择 HI 和 LI 低通滤波器元件（RHI、RLI、CHI、CLI）
        2. 7.2.2.2 选择自举电容器 (CBOOT)
        3. 7.2.2.3 选择 VDD 旁路电容器 (CVDD)
        4. 7.2.2.4 选择自举电阻器 (RBOOT)
        5. 7.2.2.5 选择栅极电阻器 RON/ROFF
        6. 7.2.2.6 选择自举二极管
        7. 7.2.2.7 估算 UCC278X4-Q1 功率损耗
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.2 选择自举电容器 (CBOOT)

自举电容器的容值应充足，确保在驱动 FET Q1 栅极至高电平时，其电压下降不超过 10%。一般规则是 CBOOT 的容值至少为等效 FET 栅极电容 (Cgs) 的 10 倍。

Cg 根据高侧 FET 栅极的驱动电压 (VQ1g) 和 FET 栅极电荷 (Qg) 计算得出。  VQ1g 约等于提供给 VDD 的偏置电压减去自举二极管的正向压降 (VBOOT)。在本设计示例中，VQ1g 估值约为 14.4V

方程式 1. V Q 1 g ≅   V D D   - V B O O T = 14.4   V

本示例中使用的 FET 的 Qg 额定值为 33nC。根据 Qg 和 VQ1g，计算得出 Cg 为 2.3nF。

方程式 2. C g =   Q g V Q 1 g =   33   n C 14.4   V   ≅ 2.3   n F

估算出 Cg 后，CBOOT 的大小应至少为 Cg 的 10 倍。

方程式 3. C B O O T ≥ 10   ×   C g ≥ 23   n F

本设计示例选择了 100nF 电容器作为自举电容器。

方程式 4. C B O O T = 100   n F