ZHCSZ67 November   2025 CSD967201-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 器件支持
      1. 5.1.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 文档支持
    3. 5.3 接收文档更新通知
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
    6. 5.6 静电放电警告
    7. 5.7 术语表
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 卷带包装信息
    2.     18

4 引脚配置和功能

CSD967201-Q1 VDK 封装，38 引脚 WQFN-FCRLF (5mm × 6mm × 0.75mm) - 俯视图图 4-1 VDK 封装，38 引脚 WQFN-FCRLF (5mm × 6mm × 0.75mm) - 俯视图
表 4-1 CSD967201-Q1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
AGND 2 GND 模拟接地
BOOT 31 I/O 自举电容器连接。在 BOOT 到 PHASE 引脚之间连接一个最小的 0.1µF、16V、X5R 陶瓷电容器。该自举电容可为开关 HS FET 提供电荷。集成了自举二极管。
EN 33 I 该引脚用于启用或禁用器件。当 EN 为逻辑高电平时，栅极驱动器会对 PWM 输入做出响应。当 EN 为逻辑低电平时，两个 MOSFET 栅极会主动驱动至关断状态‌。
IMON 36 O 电流检测放大器的输出。该引脚的输出与电感器电流成正比，增益为 5μA/A。
BP33 1 I/O 在该引脚和 AGND 之间连接一个旁路电容器。建议在 BP33 上使用一个 100nF、16V、X7R 电容。
PGND 5 GND 内部功率级的电源接地端。
6 – 10
19-22
35、37
PHASE 30 O 相位引脚。HS FET 浮动驱动器的自举电容连接返回路径。该引脚在内部连接至 VSW。在 BOOT 到 PHASE 引脚之间连接一个最小的 0.1µF、16V、X5R 陶瓷电容器。该自举电容可为开关 HS FET 提供电荷。集成了自举二极管。
PWM 32 I 来自外部控制器的三态输入。逻辑低电平将控制 FET 栅极设置为低电平，将同步 FET 栅极设置为高电平。逻辑高电平将控制 FET 栅极设置为高电平，将同步 FET 栅极设置为低电平。如果 PWM 保持在 Hi-Z 状态的时间超过三态关闭抑制时间 (t3HT)，将启用 Body Brake 或 DCM。
SW 11 – 18、23、38 O 将 HS MOSFET 源极和 LS MOSFET 漏极 - 引脚连接到输出电感器的开关节点。
TMON/FLT 34 O

温度放大器输出。报告与 IC 温度成正比的电压。IC 中集成了 ORing 功能。在多相应用中使用时，可以使用一根导线连接所有 IC 的 TMON/FLT 引脚。仅报告最高温度。如果热关断检测电路跳闸，TMON/FLT 将被上拉至 3V。
VCC 3 PWR 内部模拟电路的电源电压。该引脚被旁路至 AGND。建议在 VCC 上使用一个 2.2µF、10V、X5R 电容。
VDRV 4 PWR 栅极驱动器的电源电压。该引脚被旁路至 PGND。建议在 VDRV 上使用一个 1µF、16V、X7R 电容。
VIN 24 – 29 I 电源输入电压引脚。将输入电容连接到该引脚的附近。建议在 VIN 上使用至少五个 10µF、25V、X7R 电容，并且在靠近 VIN 引脚的位置使用两个 0.1uF、50V、X7R 电容。
(1) I = 输入，O = 输出，GND = 接地