ZHCSYU2 August   2025 LM5168E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  控制架构
      2. 7.3.2  内部 VCC 稳压器和自举电容器
      3. 7.3.3  内部软启动
      4. 7.3.4  接通时间发生器
      5. 7.3.5  电流限值
      6. 7.3.6  N 通道降压开关和驱动器
      7. 7.3.7  同步整流器
      8. 7.3.8  使能/欠压锁定 (EN/UVLO)
      9. 7.3.9  电源正常 (PGOOD)
      10. 7.3.10 热保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 工作模式
      3. 7.4.3 睡眠模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型降压应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 开关频率 (RT)
        2. 8.2.2.2 降压电感器选择
        3. 8.2.2.3 设置输出电压
        4. 8.2.2.4 3 型纹波网络
        5. 8.2.2.5 输出电容器选型
        6. 8.2.2.6 输入电容器注意事项
        7. 8.2.2.7 CBST 选型
        8. 8.2.2.8 示例设计摘要
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的紧凑型 PCB 布局
        2. 8.4.1.2 反馈电阻器
      2. 8.4.2 散热注意事项
      3. 8.4.3 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.4 接通时间发生器

LM5168E 高侧 FET 的导通时间由 RFPWMT 电阻器决定，与输入电压 VIN 成反比。由于与 VIN 成反比，因此当 VIN 发生变化时，其频率几乎保持不变。使用节 7.3.4 计算导通时间，其中 RT 单位为 kΩ。

方程式 9. TON= RT2.5×VIN

使用方程式 10 可确定 RT 电阻器，以设置 CCM 下的特定开关频率，其中 FSW 单位为 kHz。

方程式 10. R T = 2500 × V O U T F S W     k Ω

选择 RT 以使最短导通时间（VIN 最大值时）大于 50ns，从而确保降压正常运行。除了该最短导通时间外，此器件的最大频率限制为 1MHz。