ZHCSYO9A July   2025  – November 2025 TLV61290

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 系统特性
    7. 6.7 I2C 接口时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出电压设置
      2. 7.3.2 开关频率和展频功能
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  使能和启动
      2. 7.4.2  运行模式设置
      3. 7.4.3  旁路模式
      4. 7.4.4  升压控制操作
      5. 7.4.5  自动 PFM 模式
      6. 7.4.6  强制 PWM 模式
      7. 7.4.7  超声波模式
      8. 7.4.8  输出放电
      9. 7.4.9  欠压锁定
      10. 7.4.10 电流限值运行
      11. 7.4.11 输出接地短路保护
      12. 7.4.12 热关断
      13. 7.4.13 电源正常指示状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 数据有效性
      2. 7.5.2 启动条件和停止条件
      3. 7.5.3 字节格式
      4. 7.5.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
      5. 7.5.5 目标地址和数据方向位
      6. 7.5.6 单独读取和写入
      7. 7.5.7 多重读取和多重写入
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 DeviceID 寄存器
      2. 7.6.2 CONFIG 寄存器
      3. 7.6.3 VOUTFLOORSET 寄存器
      4. 7.6.4 ILIMBSTSET 寄存器
      5. 7.6.5 VOUTROOFSET 寄存器
      6. 7.6.6 STATUS 寄存器
      7. 7.6.7 ILIMPTSET 寄存器
      8. 7.6.8 BSTLOOP 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 具有 2.5V-4.35V VIN、3.4V VOUT、4A 输出电流的 TLV61290
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计参数
          1. 8.2.1.2.1 电感器选型
          2. 8.2.1.2.2 输出电容器
          3. 8.2.1.2.3 输入电容器
          4. 8.2.1.2.4 检查环路稳定性
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
      3. 8.4.3 热性能信息
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     79
输出电容器

对于输出电容器,建议使用尽可能靠近 IC 的 VOUT 和 GND 引脚放置的小型陶瓷电容器。如果出于任何原因,应用需要使用不能靠近 IC 放置的大电容器,则建议使用小型陶瓷电容器与大电容器并联。要获得建议的最小输出电容估值,请使用 方程式 9

方程式 9. CMIN=IOUT×VOUT-VINf×V×VOUT

其中 f 为开关频率,ΔV 为最大允许输出纹波。

由于存在输出电容器的 ESR 和 ESL,总纹波将更大。计算这一额外纹波分量的公式如下:

方程式 10. VOUTESR=ESR×IOUT1-D+IL2
方程式 11. VOUTESL=ESL×IOUT1-D+IL2-IOUT×1tSW(RISE)
方程式 12. VOUTESL=ESL×IOUT1-D-IL2-IOUT×1tSW(FALL)

其中

  • IOUT = 应用的输出电流
  • D = 占空比
  • ΔIL = 电感器纹波电流
  • tSW(RISE) = 开关节点上升时间
  • tSW(FALL) = 开关节点下降时间
  • ESR = 所用输出电容器的等效串联电阻
  • ESL = 所用输出电容器的等效串联电感

由于直流偏置效应,应选用容量是计算所得最小值两倍的 MLCC 电容器。该电容器用于确保控制环路的稳定性。输出电容器需要 X7R 或 X5R 电介质。除了电容会随温度显著变化外,Y5V 和 Z5U 电介质电容器还会再高频下呈现电阻特性。在最小 ESR 方面并无额外要求。在负载瞬态期间,大型电容器可实现较低的输出电压纹波以及较低的输出压降。

对于大多数应用方案,建议使用 2 个 22µF X5R 10V (0603) MLCC 电容器。

在具有高(脉冲)负载电流的应用中(例如:≥ 3.4V/4A),建议使用合理数量的有效输出电容和低 ESL 器件(例如 3 个 22µF X5R 10V (0603) MLCC 电容器)运行转换器。

直流偏置效应:高容值陶瓷电容器会表现出直流偏置效应,这会对器件的有效电容产生显著影响。因此,必须仔细选择恰当的电容值。封装尺寸和额定电压以及材料是造成额定电容值和有效电容之间差异的原因。例如,一个 22µF X5R 6.3V (0603) MLCC 电容器的有效电容通常小于 10µF(在 3.4V 直流偏置和 20mV 交流偏置条件下)。

对于射频功率放大器应用,输出电容器负载由直流/直流转换器和射频功率放大器 + PA输入电容器一同组成。

高输出电容值主要通过并联电容器来实现。这将显著降低总串联电阻 (ESR)。由此使得输出端几乎没有电压纹波,因此调节电路无需响应压降。然而,为了即使在低 ESR 下也能精确调节输出电压,调节环路会切换到纯比较器调节方案。