ZHCSY02 March   2025 DRV8001-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 RHA 封装
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 加热器 MOSFET 驱动器
        1. 7.4.1.1 加热器 MOSFET 驱动器控制
        2. 7.4.1.2 加热器 MOSFET 驱动器保护
          1. 7.4.1.2.1 加热器 SH_HS 内部二极管
          2. 7.4.1.2.2 加热器 MOSFET VDS 过流保护 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 加热器 MOSFET 开路负载检测
      2. 7.4.2 高侧驱动器
        1. 7.4.2.1 高侧驱动器控制
          1. 7.4.2.1.1 高侧驱动器 - 并行输出
          2. 7.4.2.1.2 高侧驱动器 PWM 发生器
            1. 7.4.2.1.2.1 恒流模式
            2. 7.4.2.1.2.2 OUT7 HS ITRIP 行为
            3. 7.4.2.1.2.3 高侧驱动器 - 并行输出
          3. 7.4.2.1.3 高侧驱动器保护电路
            1. 7.4.2.1.3.1 高侧驱动器内部二极管
            2. 7.4.2.1.3.2 高侧驱动器过流保护
            3. 7.4.2.1.3.3 高侧驱动器开路负载检测
      3. 7.4.3 电致变色玻璃驱动器
        1. 7.4.3.1 电致变色驱动器控制
        2. 7.4.3.2 电致变色驱动器保护
      4. 7.4.4 半桥驱动器
        1. 7.4.4.1 半桥控制
        2. 7.4.4.2 半桥 ITRIP 调节
        3. 7.4.4.3 半桥保护和诊断
          1. 7.4.4.3.1 半桥关断状态诊断 (OLP)
          2. 7.4.4.3.2 半桥有源开路负载检测 (OLA)
          3. 7.4.4.3.3 半桥过流保护
      5. 7.4.5 检测输出 (IPROPI)
      6. 7.4.6 保护电路
        1. 7.4.6.1 故障复位 (CLR_FLT)
        2. 7.4.6.2 DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        3. 7.4.6.3 PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        4. 7.4.6.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        5. 7.4.6.5 热仪表组
        6. 7.4.6.6 看门狗计时器
        7. 7.4.6.7 故障检测和响应汇总表
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI)
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 时序图
  9. 8  DRV8001-Q1 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
    4. 8.4 DRV8001-Q1_STATUS 寄存器
    5. 8.5 DRV8001-Q1_CNFG 寄存器
    6. 8.6 DRV8001-Q1_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
    3. 9.3 初始化设置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
    2. 12.2 卷带包装信息

1 特性

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 4.5V 至 35V（40V 绝对最大值）工作电压范围
  • 1 个集成半桥，IOUT 最大为 8A（RDSON = 132mΩ，每个 FET 66mΩ）
  • 1 个集成半桥，IOUT 最大为 7A（RDSON = 160mΩ，每个 FET 80mΩ）
  • 2 个集成半桥，IOUT 最大为 4A（RDSON = 400mΩ，每个 FET 200mΩ）
  • 2 个集成半桥，IOUT 最大为 1.3A 负载（RDSON = 1500mΩ，每个 FET 750mΩ）
  • 1 个可配置的集成高侧驱动器，可用作灯或 LED 驱动器，IOUT 最大为 1.5/0.5A (RDSON = 0.4/1.5Ω)
  • 5 个集成高侧驱动器，适用于 0.5/0.25A 负载 (RDSON = 1.5Ω)
    • 1 个高侧驱动器，用于为电致变色 (EC) 玻璃 MOSFET 供电
  • 1 个外部 MOSFET 栅极驱动器，用于电致变色玻璃充电
  • 1 个集成低侧 FET，用于电致变色玻璃放电
  • 用于高侧驱动器的内部 10 位 PWM 发生器
  • 所有高侧驱动器均支持低电流或高电流阈值恒定电流模式，以驱动各种 LED 模块
  • 1 个用于加热器的外部 MOSFET 栅极驱动器
    • 离线开路负载检测
    • 通过对低 RDSON MOSFET 进行 VDS 监控来实现短路检测
  • 集成驱动器输出具有电流调节功能 (ITRIP)
  • 可多路复用的检测输出 (IPROPI)
    • 具有比例电流输出 (IPROPI) 的内部电流检测
    • 具有多个热仪表组的高级芯片温度监控
    • 调整比例的电源电压输出
  • 具有可配置故障行为的保护和诊断性能
    • 在断开状态和导通状态下进行负载诊断，以检测开路负载和短路
    • 和过热保护
  • 器件比较表