ZHCSXL2A December 2024 – June 2025 MSPM0L1116 , MSPM0L1117
PRODUCTION DATA
MSPM0L111x MCU 包含一个低功耗高性能 SRAM 存储器，可在器件支持的 CPU 频率范围内实现零等待状态访问。MSPM0 MCU 还提供高达 16KB 的 SRAM。SRAM 存储器可用于存储易失性信息，例如调用栈、堆、全局数据和代码。
SRAM 存储器内容在运行、睡眠、停止和待机操作模式下完全保留，并在关断模式下丢失。
提供了写入/执行互斥机制，以允许应用程序将 SRAM 分区为两个部分：读取/写入 (RW) 分区和读取/执行 (RX) 分区。需要配置 SYSCTL 中的 SRAMBOUNDARY 寄存器来设置这些分区。RX 分区占用 SRAM 地址空间的上部。在将可执行代码放入 SRAM 时写保护很有用，因为它可以针对 CPU 或 DMA 无意覆盖代码提供一定程度的保护。将代码放置在 SRAM 中可以通过实现零等待状态操作和降低功耗来提高关键循环的性能。通过阻止自修改代码执行能力，阻止从 RW 分区执行代码功能提高了安全性。