ZHCSXJ3A December   2024  – August 2025 LM51770 , LM517701

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 处理额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 栅极驱动器上升时间和下降时间
    2. 7.2 栅极驱动器死区（转换）时间
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位（POR 系统）
      2. 8.3.2  降压/升压控制方案
        1. 8.3.2.1 升压模式
        2. 8.3.2.2 降压模式
        3. 8.3.2.3 降压/升压模式
      3. 8.3.3  节能模式
      4. 8.3.4  电源电压选择 – VMAX 开关
      5. 8.3.5  使能和欠压锁定
      6. 8.3.6  振荡器频率选择
      7. 8.3.7  频率同步
      8. 8.3.8  电压调节环路
      9. 8.3.9  输出电压跟踪
      10. 8.3.10 斜率补偿
      11. 8.3.11 可配置软启动
      12. 8.3.12 峰值电流传感器
      13. 8.3.13 电流监控和电流限制控制环路
      14. 8.3.14 短路 - 断续保护
      15. 8.3.15 nFLT 引脚和保护
      16. 8.3.16 器件配置引脚
      17. 8.3.17 双随机展频 - DRSS
      18. 8.3.18 栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  使用 WEBENCH 工具定制设计方案
        2. 9.2.2.2  频率
        3. 9.2.2.3  反馈分压器
        4. 9.2.2.4  电感器和电流检测电阻器选型
        5. 9.2.2.5  斜率补偿
        6. 9.2.2.6  输出电容器
        7. 9.2.2.7  输入电容器
        8. 9.2.2.8  UVLO 分频器
        9. 9.2.2.9  软启动电容器
        10. 9.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1
        11. 9.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2
        12. 9.2.2.12 输出电压频率补偿
        13. 9.2.2.13 外部元件选型
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 双向备用电源
      2. 9.3.2 并行（多相）运行
      3. 9.3.3 具有逻辑电平高侧栅极信号的外部栅极驱动器
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
        1. 9.5.1.1 功率级布局
        2. 9.5.1.2 栅极驱动器布局
        3. 9.5.1.3 控制器布局
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 开发支持
        1. 10.1.2.1 使用 WEBENCH 工具定制设计方案
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
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8.1 概述

LM51770x 是一款四开关降压/升压控制器。无论输入电压是高于、等于还是低于调节后的输出电压，该器件均可提供稳定的输出电压。

在省电模式下，LM51770x 支持在整个输出电流范围内实现出色的效率。在运行期间，可通过引脚动态选择运行模式。专有的降压/升压调制方案也以固定开关频率运行，该频率是通过 RT/SYNC 引脚进行设置。在降压、升压和降压/升压运行期间，开关频率保持恒定。该器件在所有工作模式下均可保持小模式转换纹波。通过激活双随机展频运行模式，可以在设计过程的任何时间有效降低 EMI。

可选集成式平均电流监测器可帮助监测或限制 LM51770x 的输入和输出电流。此功能还支持使用恒流 (CC) 和恒压 (CV) 为备用电源元件（如电池）充电。

LM51770x 的输出电压可在运行期间动态调整（动态电压调节和包络跟踪）。该调整可通过更改 SS/ATRK 引脚的模拟基准电压来完成，也可通过在 DTRK 引脚上施加 PWM 输入信号直接进行。

内部宽输入 LDO 能够在不同的输入和输出电压条件下，确保为器件功能提供可靠的电源。由于具有高驱动能力以及自动和基于余量的电压选择，因此在以高开关频率运行时，功率损耗可保持在最低水平。为了进一步降低该器件中的功率损耗，请将单独的偏置引脚连接到输入、输出或外部电源。器件始终会监测内部电源电压，以避免未定义的故障处理。

LM51770x 集成了全桥 N 沟道 MOSFET 驱动器。栅极驱动器电路具有高驱动能力，可确保在所支持的各种应用中实现高效率目标。栅极驱动器具有一个集成式高压低压差自举二极管。内部自举电路具有一个由负尖峰注入的过压保护机制，以及一个欠压锁定保护机制，以避免外部功率 FET 出现线性运行。自举电路可确保在纯升压或降压模式下以 100% 占空比运行。

电阻至数字转换 (R2D) 接口使用户可以简单可靠地选择所有器件功能，其中软启动的模拟设置可最大限度减少浪涌电流。此外，控制环路和斜率补偿可确保在所支持的各种应用中提供优异的输出性能。

器件的内置保护功能可确保在不同故障条件下安全运行。器件具有 VIN 欠压锁定保护功能，从而避免出现欠压情况。由于输入 UVLO 阈值和迟滞可通过外部反馈分压器进行配置，因此可在不同设计下避免欠压。该器件具有输出过压保护和输入过压保护功能，适用于负电流运行。该器件提供可选的断续过流保护功能，通过使用内部逐周期峰值电流保护功能来避免过大的短路电流。由于集成热关断功能，该器件可防止内部 VCC 稳压器过载情况造成热损坏。所有与输出相关的故障事件都在器件的开漏 nFLT 引脚上进行监测和指示。