ZHCSXJ3A December   2024  – August 2025 LM51770 , LM517701

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 处理额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 栅极驱动器上升时间和下降时间
    2. 7.2 栅极驱动器死区（转换）时间
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位（POR 系统）
      2. 8.3.2  降压/升压控制方案
        1. 8.3.2.1 升压模式
        2. 8.3.2.2 降压模式
        3. 8.3.2.3 降压/升压模式
      3. 8.3.3  节能模式
      4. 8.3.4  电源电压选择 – VMAX 开关
      5. 8.3.5  使能和欠压锁定
      6. 8.3.6  振荡器频率选择
      7. 8.3.7  频率同步
      8. 8.3.8  电压调节环路
      9. 8.3.9  输出电压跟踪
      10. 8.3.10 斜率补偿
      11. 8.3.11 可配置软启动
      12. 8.3.12 峰值电流传感器
      13. 8.3.13 电流监控和电流限制控制环路
      14. 8.3.14 短路 - 断续保护
      15. 8.3.15 nFLT 引脚和保护
      16. 8.3.16 器件配置引脚
      17. 8.3.17 双随机展频 - DRSS
      18. 8.3.18 栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  使用 WEBENCH 工具定制设计方案
        2. 9.2.2.2  频率
        3. 9.2.2.3  反馈分压器
        4. 9.2.2.4  电感器和电流检测电阻器选型
        5. 9.2.2.5  斜率补偿
        6. 9.2.2.6  输出电容器
        7. 9.2.2.7  输入电容器
        8. 9.2.2.8  UVLO 分频器
        9. 9.2.2.9  软启动电容器
        10. 9.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1
        11. 9.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2
        12. 9.2.2.12 输出电压频率补偿
        13. 9.2.2.13 外部元件选型
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 双向备用电源
      2. 9.3.2 并行（多相）运行
      3. 9.3.3 具有逻辑电平高侧栅极信号的外部栅极驱动器
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
        1. 9.5.1.1 功率级布局
        2. 9.5.1.2 栅极驱动器布局
        3. 9.5.1.3 控制器布局
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 开发支持
        1. 10.1.2.1 使用 WEBENCH 工具定制设计方案
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
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9.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1

输入侧 MOSFET QH1 (Q1) 和 QL1 (Q2) 需承受 36V 的最大输入电压，并且还需要承受开关期间 SW1 上出现的瞬态尖峰。因此，QH1 和 QL1 的额定电压需要为 50V 或更高。MOSFET 的栅极平坦电压需要小于转换器的最小输入电压，否则，MOSFET 在启动或过载情况下可能无法完全增强。

升压模式下 QH1 中的功率损耗根据以下公式进行近似计算：

方程式 32. P COND ( QH 1 ) = I OUT × V OUT V IN 2 ×   R DS , On ( QH 1 )

降压模式下 QH1 中的功率损耗分别由方程式 33 和方程式 34 给出的导通损耗和开关损耗分量组成：

方程式 33. P COND ( QH 1 ) = I OUT × V OUT V IN 2 × R DS , On ( QH 1 )
方程式 34. P SW QH 1 = 1 2 × V IN × I OUT × t r + t f × f SW

上升 (tr) 和下降 (tf) 时间基于 MOSFET 数据表信息或在实验室中进行测量。通常，RDSON 较小（导通损耗较小）的 MOSFET 具有较长的上升和下降时间（开关损耗较大）。

降压运行模式下 QL1 中的功率损耗如方程式 35 所示：

方程式 35. P COND ( QL 1 ) = 1 - V OUT V IN × I OUT 2 ×   R DS , On ( QL 1 )