ZHCSX58A September 2024 – October 2025 TAS2320
PRODUCTION DATA
以下示意图显示了 TAS2320 器件的典型应用连接。SEL1_I2C 引脚用于选择器件的 HW 模式或 I2C 模式。
如果需要,系统可以使用相同的 1.8V 电源为 IOVDD 和 VDD 供电。去耦电容器 C2 和 C3 应靠近器件引脚放置。
VBAT、VDD、PVDD 电源轨对器件性能至关重要,应在源 PMIC 和这些引脚之间使用宽引线,以尽量减小寄生电感。对于这些电源轨,电源纹波应保持最小并应连接到公共电源平面。
勘误表:如果 IRQZ 信号被拉高,则预计会有额外的 2mA 到 3mA 电流消耗。在应做事项和禁止事项一节中了解更多详细信息。
| 元件 | 说明 | 规格 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| L2、L3 | 可选的 EMI 滤波电感器(如果使用 L2、L3,则必须使用 C10、C11) | 直流电流 | 2 | A | ||
| C1, C2 | DREG、IOVDD 去耦电容器 | 电容,容差为 20% | 1 | µF | ||
| 电压额定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C3 | VDD 去耦电容器 | 电容,容差为 20% | 2.2 | µF | ||
| 电压额定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C4 | VBAT 去耦电容器 | 电容,容差为 20% | 1 | µF | ||
| 电压额定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C6 | PVDD 低 ESL 去耦 | 电容,容差为 20% | 0.1 | µF | ||
| 电压额定值 | 16 | 25 | V | |||
| C7 | PVDD 电源去耦电容器 | 电容,容差为 20% | 10 | µF | ||
| 电压额定值 | 16 | 25 | V | |||
| C9 | GREG 去耦电容器 | 电容,容差为 20% | 0.1 | µF | ||
| 电压额定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C10、C11 | 可选的 EMI 滤波电容器(如果使用 C10、C11,则必须使用 L2、L3) | 电压额定值 | 2xPVDD | V |