ZHCSX58A September   2024  – October 2025 TAS2320

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 工作模式
        1. 6.3.1.1 硬件关断
        2. 6.3.1.2 硬件配置模式
        3. 6.3.1.3 软件电源模式控制和软件复位
        4. 6.3.1.4 高效和节能模式
          1. 6.3.1.4.1 噪声门
          2. 6.3.1.4.2 音乐效率模式
      2. 6.3.2 故障和状态
        1. 6.3.2.1 中断生成和清除
    4. 6.4 特性说明
      1. 6.4.1 PurePath™ Console 3 软件
      2. 6.4.2 播放信号路径
        1. 6.4.2.1 数字音量控制和放大器输出电平
        2. 6.4.2.2 高通滤波器
        3. 6.4.2.3 D 类放大器
        4. 6.4.2.4 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
          1. 6.4.2.4.1 电压限制器和削波保护
        5. 6.4.2.5 音调发生器
      3. 6.4.3 数字音频串行接口
        1. 6.4.3.1 数字环回
      4. 6.4.4 外部 H 类升压控制器
      5. 6.4.5 电源电压监测
      6. 6.4.6 热保护
      7. 6.4.7 时钟和 PLL
        1. 6.4.7.1 基于自动时钟的唤醒和时钟错误
      8. 6.4.8 数字 IO 引脚
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 控制接口
      2. 6.5.2 I2C 地址选择
      3. 6.5.3 常规 I2C 运行
      4. 6.5.4 I2C 单字节和多字节传输
      5. 6.5.5 I2C 单字节写入
      6. 6.5.6 I2C 多字节写入
      7. 6.5.7 I2C 单字节读取
      8. 6.5.8 I2C 多字节读取
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 页 0 寄存器
    2. 7.2 页 1 寄存器
    3. 7.3 页 2 寄存器
    4. 7.4 页 4 寄存器
    5. 7.5 页 5 寄存器
    6. 7.6 页 6 寄存器
    7. 7.7 页 7 寄存器
    8. 7.8 页 8 寄存器
    9. 7.9 簿 100 页 9 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 单声道/立体声配置
        2. 8.2.2.2 EMI 无源器件
        3. 8.2.2.3 各种无源器件
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 应做事项和禁止事项
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.4.3 数字音频串行接口

该器件提供灵活的音频串行接口 (ASI) 端口。该端口可配置为支持多种格式，包括立体声 I2S、左对齐和 TDM。通过 SDIN 引脚提供单音频播放。SDOUT 引脚用于传输样本流，包括 I-sense、V-sense、PVDD 电压、VBAT 电压、内核温度、状态以及用于回声基准的音频。

TDM 串行音频端口在 44.1/48kHz 采样率下支持多达 16 个 32 位时隙，在 88.2/96kHz 采样率下支持多达 8 个 32 位时隙，在 176.4/192kHz 采样率下支持多达 4 个 32 位时隙。该器件支持 2 个宽度为 32 位的时隙，以及 4 个或 8 个宽度为 16 位、24 位或 32 位的时隙。器件可自动检测时隙数，无需编程。TDM 总线上检测到的 PCM 数据采样率以及 SBCLK 与 FSYNC 之比会分别在只读寄存器位 FS_RATE_DETECTED[2:0] 和 FS_RATIO_DETECTED[3:0] 上报告。

表 6-24 检测到的 PCM 数据采样率
FS_RATE_DETECTED[2:0]

（只读）

 设置
000 保留
001 14.7kHz/16kHz
010 22.05kHz/24kHz
011 29.4kHz/32kHz
100（默认值）

44.1kHz/48kHz
101 88.2kHz/96kHz
110 176.4kHz/192kHz
111 错误条件
帧以 FSYNC 从高电平转换到低电平或从低电平转换到高电平（由 FRAME_START 寄存器位设置）开始。FSYNC 和 SDIN 由 SBCLK 使用由 RX_EDGE 寄存器位设置的上升沿或下降沿设进行采样。RX_OFFSET[4:0] 寄存器位定义从 FSYNC 转换到时隙 0 开始的 SBCLK 周期数。这通常设置为值 0（对于左对齐）和 1（对于 I2S 格式）。

RX_SLEN[1:0] 寄存器位将 RX 时隙的长度设置为 16、24 或 32（默认）位。时隙内音频样本字的长度由 RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置。默认情况下，RX 端口将使时隙内的音频样本左对齐，但这可以通过 RX_JUSTIFY 寄存器位更改为右对齐。器件支持单声道和立体声下混音播放 ([L+R]/2)。默认情况下，器件将从等于 I2C 基地址偏移量（由 AD1 和 AD2 引脚设置）的时隙播放单声道。RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于将播放源覆盖到左时隙、右时隙或由 RX_SLOT_R[3:0] 和 RX_SLOT_L[3:0] 寄存器位设置的立体声下混频。

如果时隙选择将接收部分或全部置于帧边界之外，则接收器返回一个空样本，相当于一个数字静音样本。

TDM 端口可以在 SDOUT 引脚上传输多个样本流，包括扬声器电压检测、扬声器电流检测、中断和状态、PVDD 电压、VBAT 电压和内核温度。

SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引脚上传输数据。这可以通过设置 TX_EDGE 寄存器位来配置。TX_OFFSET[2:0] 寄存器位定义从帧开始到时隙 0 开始的 SBCLK 周期数。这会编程为 0（对于左对齐格式）和 1（对于 I2S 格式）。TDM TX 可以发送逻辑 0 或高阻态，具体取决于 TX_FILL 寄存器位的设置。当所有器件都驱动高阻态时，可选的总线保持器可以弱保持 SDOUT 引脚的状态。由于 SDOUT 上只需要一个总线保持器，因此可以通过 TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以将总线保持器配置为仅将总线保持 1 个 LSB 或始终保持（永久）。此外，可以使用 TX_KEEPCY 寄存器位将保持器 LSB 驱动一个完整周期或半个周期。

可以分别使用 VSNS_TX 和 ISNS_TX 寄存器位来启用电压和电流检测值的 TDM 传输。每个检测流可以单独启用或禁用。这对于管理有限的 TDM 带宽会很有用，因为可能没有必要为总线上的所有器件传输所有流。

每个检测流的 VSNS_SLOT[5:0]、ISNS_SLOT[5:0] 定义了 MSB 传输开始的位置。例如，如果 VSNS_SLOT 被设置为 2，则高 8 位 (MSB) 在时隙 2 中传输，低 8 位 (LSB) 在时隙 3 中传输。

确保主动传输的样本流的时隙分配不产生冲突很重要。例如，如果 VSNS_SLOT 被设置为 2 且 ISNS_SLOT 被设置为 3，则电压检测的低 8 位 (LSB) 将与电流检测的高 8 位 (MSB) 发生冲突。这会在冲突的位时隙中产生不可预测的传输结果（例如未定义优先级）。

默认情况下，电压和电流检测值以完整的 16 位测量值进行传输。IVMON_SLEN[1:0] 位可用于在一个时隙中仅传输 8 个 MSB 位或跨多个时隙传输 12 个 MSB 位值。当主机处理器只能处理 24 位 I2S/TDM 数据时，使用特殊的 12 位模式。该器件需要配置为将电压检测时隙和电流检测时隙错开 1 个时隙，并占用 3 个连续的 8 位时隙。在这种模式下，器件将发送前 12 个 MSB 位，然后发送由前一个时隙指定的接下来的 12 个 MSB 位。

器件还支持输入电源电压的监测和 TDM 传输。对于 PVDD 时隙，可以使用使能和长度设置 PVDD_SLOT[5:0]、PVDD_TX 和 PVDD_SLEN 寄存器位。同样，对于 VBAT 时隙，可以使用使能和长度设置 VBAT_SLOT[5:0]、VBAT_TX 和 VBAT_SLEN 寄存器位。内核温度也能够以相同的方式从器件传输。可以使用 TEMP_TX 和 TEMP_SLOT [5:0] 寄存器位来完成内核温度的使能和时隙设置。

STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位提供了有关时隙状态的信息。将 STATUS_TX 寄存器位设置为高电平会启用状态发送。如果时隙选择将传输置于帧边界之外，则发送器将在帧边界截断传输。