ZHCSVG8A October   2024  – June 2025 TPSI31P1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能状态的传输
      2. 6.3.2 功率传输
      3. 6.3.3 栅极驱动器
      4. 6.3.4 芯片使能 (CE)
      5. 6.3.5 比较器
      6. 6.3.6 VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      7. 6.3.7 禁止电路
      8. 6.3.8 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 CDIV1、CDIV2 电容
      3. 7.2.3 应用曲线
      4. 7.2.4 绝缘寿命
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.10 开关特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。TA = 25℃ 时的典型值。CVDDP = 1µF，CDIV1 = 47nF，CDIV2 = 220nF，CVDRV = 1nF，。50kΩ 上拉从 、PGOOD 至 VDDP。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源和驱动器
tLO_CE CE 的低电平时间。  VVDDH，VVDDM = 稳态。 5 µs
tLO_EN EN 的低电平时间。  VVDDH，VVDDM = 稳态。 5 µs
tHI_EN EN 的高电平时间。  VVDDH，VVDDM = 稳态。 5 µs
tPER_EN EN 周期。  VVDDH，VVDDM = 稳态。 10 µs
tLH_VDDH 从 VDDP 上升到 VDDH（处于 50% 电平）的传播延迟时间。 EN = 0V，
1V/µs 时 VVDDP = 0V → 5V，
VVDDH = 7.5V。		 145 µs
tLH_VDRV 在 90% 电平从 EN 上升到 VDRV 的传播延迟时间 VVDDP = 5V，
VVDDH，VVDDM = 稳态，
EN = 0V → 5V，
VVDRV = 13.5V。		 3 4.5 µs
tHL_VDRV 从 EN 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间 VVDDP = 5V，
VVDDH，VVDDM = 稳态，
EN = 5V → 0V，
VVDRV = 1.5V。		 2.5 3.0 µs
tHL_VDRV_PD 从 VDDP 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间。由于主电源断电导致的超时机制。 EN = 5V，
-1V/µs 时 VVDDP = 5V → 0V，
VVDRV = 1.5V。		 140 210 µs
tLH_VDRV_CE 在 10% 电平从 CE 上升到 VDRV 的传播延迟时间 VVDDP = 5V，
VDDH 和 VDDM 完全放电。
EN = CE = 0V → 5V，
VVDRV = 1.5V。		 185 µs
tHL_VDRV_CE 从 CE 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间 VVDDP = 5V，
VVDDH，VVDDM = 稳态，
EN = 5V，
CE = 5V → 0V，
VVDRV = 1.5V。		 3 4 µs
tR_VDRV 从 EN 上升到 VDRV（电平从 15% 升至 85%）的 VDRV 上升时间 VVDDP = 5V，
VVDDH，VVDDM = 稳态，
EN = 0V → 5V，
VVDRV = 2.25V 至 12.75V。		 10 ns
tF_VDRV 从 EN 下降到 VDRV（电平从 85% 降至 15%）的 VDRV 下降时间 VVDDP = xV，
VVDDH，VVDDM = 稳态，
EN = xV → 0V，
VVDRV = 12.75V 至 2.25V。		 10 ns
比较器
tPD_CMP_VDRV 传播延迟时间，比较器输入到 VDRV 被置为低电平或高电平。 EN = CE = VDDP
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VIS+ 越过 VREF+、VREF- 到 50% VVDRV 的时间。		 290 350 460 ns