ZHCSVG8A October   2024  – June 2025 TPSI31P1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能状态的传输
      2. 6.3.2 功率传输
      3. 6.3.3 栅极驱动器
      4. 6.3.4 芯片使能 (CE)
      5. 6.3.5 比较器
      6. 6.3.6 VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      7. 6.3.7 禁止电路
      8. 6.3.8 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 CDIV1、CDIV2 电容
      3. 7.2.3 应用曲线
      4. 7.2.4 绝缘寿命
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.3 栅极驱动器

TPSI31P1-Q1 具有集成栅极驱动器，可提供 17V 标称电压以及 1.5A 和 2.5A 峰值拉电流和灌电流，足以驱动许多功率晶体管。驱动外部功率晶体管时，TI 建议在 VDDH 和 VDDM 之间以及 VDDM 和 VSSS 之间使用旁路电容器 (CDIV2 ≥ 3 * CDIV1)，其等效串联电容至少为等效栅极电容的 30 倍。由于对外部功率晶体管的外部栅极电容充电，这可更大限度减少电源的压降。