ZHCSVG8A October   2024  – June 2025 TPSI31P1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能状态的传输
      2. 6.3.2 功率传输
      3. 6.3.3 栅极驱动器
      4. 6.3.4 芯片使能 (CE)
      5. 6.3.5 比较器
      6. 6.3.6 VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      7. 6.3.7 禁止电路
      8. 6.3.8 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 CDIV1、CDIV2 电容
      3. 7.2.3 应用曲线
      4. 7.2.4 绝缘寿命
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.9 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。TA = 25℃ 时的典型值。CVDDP = 1µF，CDIV1 = 47nF，CDIV2 = 220nF，CVDRV = 1nF，。50kΩ 上拉从 、PGOOD 至 VDDP。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
COMMON
CMTI 共模瞬态抗扰度，静态。 |VCM| = 1000V，
VEN = 0V 或 VEN = 5V。		 100 V/ns
TSD 关断温度 VVDDP = 5V 173 ℃
TSDH 关断温度迟滞 VVDDP = 5V 32 ℃
电源
IVDDP_STBY 待机模式下的 VDDP 电流 VVDDP = 5V，
EN = 0V，
CE = 0V。
测量平均电流。		 25 45 µA
IVDDP 稳态下的 VDDP 平均电流 VVDDP = 5V，EN = CE = 5V。

稳态下的 VVDDH，
测量 IVDDP。		 37 mA
VVDDH VDDH 输出电压 VVDDP = 5V，EN = CE = 5V。
 16 17 18 V
VVDDM 未拉取电流时的平均 VDDM 电压。 VVDDP = 5V，EN = CE = 5V。

 		 4.8 5.0 5.2 V
POUT_VDDH 到 VDDH 的最大功率传输。 VVDDP = 5V，EN = 0V，CE = 5V。
 55 72.8 mW
监控
VVDDP_UV_R VDDP 欠压阈值上升 VDDP 上升。
 		 3.9 4.1 4.35 V
VVDDP_UV_F VDDP 欠压阈值下降
VDDP 下降
 		 3.8 3.9 4.25 V
VVDDP_UV_HYS VDDP 欠压阈值迟滞 170 mV
VVDDH_UV_R VDDH 欠压阈值上升 VDDH 上升。 11.9 13 14.2 V
VVDDH_UV_F VDDH 欠压阈值下降。
 		 VDDH 下降。 9.6 10.4 11.5 V
VVDDH_UV_HYS VDDH 欠压阈值迟滞。
 		 2.5 V
VVDDM_UV_R VDDM 欠压阈值上升 VDDM 上升。 3.4 3.7 3.9 V
VVDDM_UV_F VDDM 欠压阈值下降。
 		 VDDM 下降。 3.1 3.4 3.7 V
VVDDM_UV_HYS VDDM 欠压阈值迟滞。
 		 0.3 V
驱动器
VVDRV_H 被驱动为高电平的 VDRV 输出电压 VVDDP = 5V，EN = 5V。
稳态下的 VVDDH，。
 		 16 17 18 V
VVDRV_L 被驱动为低电平的 VDRV 输出电压 VVDDP = 5V，EN = 0V，
稳态下的 VVDDH，
VDRV 灌入 10mA 的电流。
 0.1 V
IVDRV_PEAK VDRV 在上升期间的峰值输出电流 VVDDP = 5V，
EN = 0V → 5V，
稳态下的 VVDDH，
测量峰值电流。

 1.5 A
VDRV 在下降期间的峰值输出电流 VVDDP = 5V，
EN = 5V → 0V，
稳态下的 VVDDH，
测量峰值电流。

 2.5 A
VACT_CLAMP 接合时的有源钳位电压。 VVDDP = 0V。
灌电流 IVDRV = 300mA。
测量 VDRV。		 1.9 2.5 V
数字输入/输出
VIT_+(EN) EN 上的输入阈值
电压上升。		 VVDDP = 5V 2.3 2.5 2.7 V
VIT_-(EN) EN 上的输入阈值
电压下降。		 VVDDP = 5V 1.7 1.9 2.0 V
VIT_HYS(EN) EN 上的输入阈值
电压迟滞。		 VVDDP = 5V 0.5 V
VIT_+(CE) CE 上的输入阈值
电压上升。		 VVDDP = 5V 2.3 2.5 2.7 V
VIT_-(CE) CE 上的输入阈值
电压下降。		 VVDDP = 5V 1.7 1.9 2.0 V
VIT_HYS(CE) CE 上的输入阈值
电压迟滞。		 VVDDP = 5V 0.5 V
VOL 低电平输出电压。
PGOOD

 VVDDP = 4.5V 至 5.5V，
IOL = 2mA。
输出已启用。		 0.4 V
IOL 低电平输出电流。
PGOOD

 VVDDP = 4.5V 至 5.5V，
VOL = 0.4V。
输出已启用。		 -2 mA
ILKG 漏电流。
PGOOD

 VVDDP = 4.5V 至 5.5V，
输出已禁用。		 2 µA
REN_PULLDOWN EN 上的内部下拉电阻器。 VVDDP = 5V 390 500 640 kΩ
RCE_PULLDOWN CE 上的内部下拉电阻器。 VVDDP = 5V 390 500 640 kΩ
基准
VREF+ 峰值电流基准电压。
TA = 25°C		 1.23 V
VREF- 谷值电流基准电压。
TA = 25°C		 0.16 V
VREF_TOL 内部基准电压容差。 -1.5 1.5 %
比较器
RCMP_PULLDOWN 内部下拉电阻器。

IS+(1)
1.3 2.8 3.8 MΩ
(1) 每个 IS+ 引脚的下拉电阻。器件具有两个 IS+ 引脚，在应用中短接在一起。