ZHCSVG8A October   2024  – June 2025 TPSI31P1-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能状态的传输
      2. 6.3.2 功率传输
      3. 6.3.3 栅极驱动器
      4. 6.3.4 芯片使能 (CE)
      5. 6.3.5 比较器
      6. 6.3.6 VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      7. 6.3.7 禁止电路
      8. 6.3.8 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 CDIV1、CDIV2 电容
      3. 7.2.3 应用曲线
      4. 7.2.4 绝缘寿命
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VDDP 初级侧电源电压(1) 4.5 5.5 V
EN
使能预充电(1)		 0 5.5 V
CE 芯片使能(1) 0 5.5 V
PGOOD 电源正常状态指示器(4)(1) 0 5.5 V
CVDDP VDDP 和 VSSP 上的去耦电容(3) 1 20 µF
CDIV1(2) VDDH 和 VDDM 之间的去耦电容(3) 0.003 15 µF
CDIV2(2) VDDM 和 VSSS 之间的去耦电容(3) 0.1 40 µF
QTOTAL 要由 VDRV 驱动的总电荷。 2500 nC
TA 环境工作温度 -40 125 °C
TJ 工作结温 -40 150 °C
(1) 所有电压值均以 VSSP 为基准。
(2) CDIV1 和 CDIV2 应具有相同的类型和容差。CDIV2 电容值应至少为 CDIV1 电容值的三倍，即 CDIV2 ≥ 3 × CDIV1。
(3) 所有电容值都是绝对值。必要时应进行降额。
(4) 开漏失效防护输出。使用时，建议在 VDDP 上连接一个大于 20kΩ 的外部上拉电阻器。不使用时，将引脚悬空或连接至 VSSP。