ZHCSUX0A January 2025 – April 2025 TPS7B4261-Q1
PRODUCTION DATA
TPS7B4261-Q1 采用背对背 PMOS 拓扑。这种拓扑结构可保护器件免受 VOUT 高于 VIN 的故障情况影响,并阻止反向电流流动。如果发生该故障状况,器件不会受到损坏、前提是未违反 绝对最大额定值。这种集成保护功能消除了对外部二极管的需求。反向电流比较器通常在 10μs 内堆反向电压情况做出响应。比较器与阻断型 PMOS 晶体管的体二极管一起将反向电流 (IREV) 限制在 1.5µA 以下。电气特性 表中指定了 IREV。